[实用新型]晶闸管分支满布N+放大门极有效
| 申请号： | 201720696450.8 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN206864475U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王正鸣;高山城;郭永忠;张猛 | 申请（专利权）人： | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司61100 | 代理人： | 彭冬英 |
| 地址： | 710077*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶闸管 分支 满布 大门 | ||
1.晶闸管分支满布N+放大门极，其特征在于：从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区(1)、N+型环形放大门极区(2)、N+型枝条放大门极区(3)、P型放大门极区(4)、N+型主晶闸管有效阴极区(5)、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点(6)及边缘P型台面区(7)，N+型环形放大门极区(2)和N+型枝条放大门极区(3)枝条内设有N+掺杂形成放大门极或前置晶闸管的有效阴极，使辅助晶闸管的有效阴极延枝条充分扩展，放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域由围绕中心P型门极区(1)的N+型环形放大门极区(2)和深入到阴极部分均分主晶闸管阴极区域的N+型枝条放大门极区(3)组成，边缘P型台面区(7)位于芯片的最外端,与N+型主晶闸管有效阴极区(5)相连接。
2.如权利要求书1所述的晶闸管分支满布N+放大门极，其特征在于：P型放大门极区(4)将N+型环形放大门极区(2)及N+型枝条放大门极区(3)共同构成的辅助晶闸管的有效阴极区与主晶闸管的有效阴极区(5)分隔，并使两者之间距离(10)始终保持0.3mm±0.01mm,这样一个尽可能小但足够电极分离的距离。
3.如权利要求书1所述的晶闸管分支满布N+放大门极，其特征在于：N+型枝条放大门极区(3)枝条数为6条。
4.如权利要求书1所述的晶闸管分支满布N+放大门极，其特征在于：N+型枝条放大门极区(3)枝条粗细可渐变，根部最粗处(8)为1.0mm±0.01mm，最细处(9)为0.3mm±0.01mm，并在主干末端分叉为Y字型，两根Y字型指条宽度为0.3mm±0.01mm,继续向主晶闸管阴极边缘延伸以使枝条占用面积最小而延伸长度即起始导通周界最大。
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