[实用新型]一种基于SAS级联构建的存储架构

权利要求书

1.一种基于SAS级联构建的存储架构，其特征在于，包括：多个储存单体；储存单体包括：SAS switch主板以及多个储存装置；

SAS switch主板分别与每个储存装置连接；

SAS switch主板还分别与系统服务器的CPU连接；

SAS switch主板与每个储存装置采用minisas数据线连接。

2.根据权利要求1所述的基于SAS级联构建的存储架构，其特征在于，储存单体与储存单体之间采用minisas数据线连接。

3.根据权利要求1所述的基于SAS级联构建的存储架构，其特征在于，储存装置采用JBOD或硬盘。

4.根据权利要求1所述的基于SAS级联构建的存储架构，其特征在于，SAS switch主板设有热插拔电路以及热插拔保护电路。

5.根据权利要求4所述的基于SAS级联构建的存储架构，其特征在于，

热插拔保护电路包括：场效应管Q1，控制器U4，电阻R1，二极管D1，第一运算放大器U1，第二运算放大器U2，逻辑与门U3；

热插拔保护电路输入端分别与电阻R1的第一端和场效应管Q1的D极连接，电阻R1的第二端与二极管D1阳极连接，二极管D1阴极与第一运算放大器U1正向输入端连接；

第一运算放大器U1负向输入端分别与场效应管Q1的S极，热插拔保护电路输出端Uout连接；

控制器U4的VCC端分别与热插拔保护电路输入端Uin连接；控制器U4的GND端接地,控制器U4的EN端接收使能VEN信号；场效应管Q1的G极与控制器U4的GATE端连接；

第一运算放大器U1输出端与第二运算放大器U2的负向输入端连接，第二运算放大器U2的正向输入端连接参考电压输入端VR；第二运算放大器U2的输出端连接逻辑与门U3的第二端，逻辑与门U3的第一端接收使能VEN信号。

6.根据权利要求4所述的基于SAS级联构建的存储架构，其特征在于，

热插拔电路采用LTC4364-2及其外围电路，或采用MAX4271及其外围电路。