[实用新型]超高真空磁耦合式密封

权利要求书

1.超高真空磁耦合式密封，包括壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）具有两个共轴且相互隔离的安装槽（2），两个所述安装槽（2）中设置有磁性连接并同步转动的主动旋转机构（4）和从动旋转机构（5），所述从动旋转机构（5）所在的壳体（1）的一端设置有用于超高真空密封的法兰（6）。

2.根据权利要求1所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：隔离两个所述安装槽（2）的隔板（3）为非磁性材料。

3.根据权利要求2所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：所述主动旋转机构（4）和隔板（3）之间的间隙小于所述从动旋转机构（5）和隔板（3）之间的间隙。

4.根据权利要求3所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：所述主动旋转机构（4）与从动旋转机构（5）之间的间距不大于7mm。

5.根据权利要求4所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：所述主动旋转机构（4）包括第一连接座（41），所述第一连接座（41）通过第一轴承（42）安装在所述安装槽（2）中，所述第一连接座（41）远离所述从动旋转机构（5）的一端用于连接驱动其自转的驱动端，其靠近所述从动旋转机构（5）的一端设置有第一磁座（43），所述第一磁座（43）上设置有一组第一磁体（44）。

6.根据权利要求5所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：所述从动旋转机构（5）包括与所述第一磁体（44）磁性相互吸引的第二磁体（51），所述第二磁体（51）设置于第二磁座（54）上，所述第二磁座（54）远离所述主动旋转机构（4）的一端固接第二连接座（53），所述第二连接座（53）用于连接负载端。

7.根据权利要求6所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：所述第一磁体（44）的数量为偶数，所述第二磁体（51）的数量与所述第一磁体（44）相同。

8.根据权利要求7所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：一组第一磁体（44）在所述第一磁座（43）内的分布形态为至少一个与所述第一磁座（43）共轴的环，且同一环上的相邻第一磁体（44）在第一磁座（43）表面的磁极相反，每个第二磁体（51）与一个第一磁体（44）对应且极性相反。

9.根据权利要求1-8任一所述的超高真空磁耦合式密封，其特征在于：所述法兰（6）至少是CF法兰、ISO-KF法兰或ISO法兰中的一种。