[实用新型]场发射电子源装置有效
| 申请号: | 201720435947.4 | 申请日: | 2017-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN207338290U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
| 发明(设计)人: | 石伟;梁栋;洪序达;胡战利;蒋昌辉 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | H01J3/02 | 分类号: | H01J3/02;H01J9/44 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发射 电子 装置 | ||
1.一种场发射电子源装置,其特征在于:
其包括二极式场发射电子源、真空腔、真空泵机组、高压电源、高压脉冲驱动单元、真空环境监测单元和控制平台,并且
所述二极式场发射电子源设置于真空腔内,所述高压电源经所述真空腔的第一法兰连接至所述二极式场发射电子源的阳极,所述高压脉冲驱动单元经所述真空腔的第二法兰连接至所述二极式场发射电子源的阴极,所述真空环境监测单元经所述真空腔的第三法兰连接至所述真空腔,所述真空泵机组经所述真空腔的第四法兰连接至所述真空腔,所述控制平台经通讯线缆分别连接至所述高压电源、所述真空环境监测单元以及所述高压脉冲驱动单元。
2.根据权利要求1所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述高压脉冲驱动单元的一端接地。
3.根据权利要求2所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述阴极为生长在金属衬底上的碳纳米管,所述阳极为ITO导电玻璃或不锈钢片,所述阳极与所述阴极之间的距离介于100μm和200μm之间;且通过所述真空泵机组维持所述真空腔内的真空度介于10
4.根据权利要求3所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述阳极与所述阴极的距离为100μm,所述真空度为10
5.根据权利要求1所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述高压脉冲驱动单元包括低压脉冲驱动模块和高压切换模块。
6.根据权利要求1所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述真空泵机组由前级机械泵和分子泵组成。
7.根据权利要求1所述的场发射电子源装置,其特征在于:在所述高压电源和所述二极式场发射电子源阳极之间串联有高压电阻。
8.根据权利要求7所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述高压电阻为玻璃釉棒状高压电阻器。
9.根据权利要求7所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述真空环境监测单元包括真空计和真空电离规管,所述真空电离规管的测量端经所述第三法兰嵌入所述真空腔中,引出的电极端连接所述真空计。
10.根据权利要求1所述的场发射电子源装置,其特征在于:所述控制平台与所述高压电源、所述高压脉冲驱动单元、以及真空检测单元进行通讯连接,并且所述控制平台采用LabVIEW上位机软件进行集成控制。
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