[实用新型]一种内建肖特基界面的垂直场效应二极管有效
| 申请号： | 201720353850.9 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN206657811U | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 内建肖特基 界面 垂直 场效应 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种内建肖特基界面的垂直场效应二极管，包括衬底以及位于衬底上方的外延层，在外延层的上表面并排设置有若干沟槽（3）且在沟槽（3）的内部通过填充半导体进行填充，其特征在于：在沟槽（3）的内壁上设置肖特基界面；在外延层中设置有与外延层半导体类型相反的保护区，保护区位于每一个沟槽（3）的下部且与沟槽（3）间隔设置，在外延层的表面相邻两个沟槽（3）之间还设置有重掺杂区。
2.根据权利要求1所述的内建肖特基界面的垂直场效应二极管，其特征在于：所述的肖特基界面包括设置在沟槽（3）底面上的沟槽底部肖特基界面（6）或/和侧壁上的沟槽侧部肖特基界面（13）。
3.根据权利要求1所述的内建肖特基界面的垂直场效应二极管，其特征在于：所述的填充半导体为单晶硅。
4.根据权利要求1所述的内建肖特基界面的垂直场效应二极管，其特征在于：所述的填充半导体包括多晶硅以及设置在多晶硅外圈的阻挡层。
5.根据权利要求4所述的内建肖特基界面的垂直场效应二极管，其特征在于：所述的阻挡层为氧化硅层、肖特基界面或单晶硅层。
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