[实用新型]支持双协议的UHF‑RFID读写器信道选择滤波器

说明书

技术领域

本发明属于集成电路设计技术领域，具体涉及一种支持双协议的UHF-RFID读写器信道选择滤波器。

背景技术

CMOS工艺的UHF-RFID读写器芯片因体积小、成本低、兼容性好得到快速发展。为了便于集成，读写器芯片中的接收机多采用零中频接收机结构。在该结构中，可使用模拟低通滤波器实现信道选择。

信道选择滤波器支持ISO 18000-6C和GB/T29768-2013两种UHF-RFID通讯协议。根据不同的接收数据速率，信道选择滤波器的带宽可调节。考虑两种协议以及协议中F0、Miller 编码的兼容性和信道分配实际情况，信道选择滤波器支持多读写器环境下64kb/s和单读写器环境下640kb/s两种接收数据速率，考虑20％的频偏，信道选择滤波器的带宽可在154kHz和 1.54MHz之间选择。同时，ISO 18000-6C协议规定，多读写器环境下邻道泄漏比为-20dBc，密集读写器环境下邻道泄漏比为-30dBc，GB/T29768-2013协议规定，读写器邻道泄漏比为 -40dBc，为满足两种协议下的邻道泄漏比要求，信道选择滤波器在二倍信道带宽处的带外抑制可在25dB和45dB之间调节。

国内外已发表的文献报道，多为支持单一协议的信道选择滤波器，滤波器的带外抑制是固定不可调节的，部分信道选择滤波器通过设计较大的带外抑制同时满足两种协议的邻道泄漏比要求，但是在邻道泄漏比要求较低的应用环境中，会造成功耗的不必要消耗。而在支持双协议的信道选择滤波器中，滤波器的带外抑制和带宽可根据不同的协议实现变换调节，具有灵活性，降低功耗，为支持多协议的UHF-RFID读写器奠定技术基础，使其同时满足国际市场和本土市场的应用需求，更具竞争力。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出一种支持双协议的UHF-RFID读写器信道选择滤波器。

本发明的技术方案是：

一种支持双协议的UHF-RFID读写器信道选择滤波器，包括第一二阶低通滤波器、第二二阶低通滤波器、第三二阶低通滤波器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS 晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管；

所述第一二阶低通滤波器的正输入端作为差分信号的正输入端，所述第一二阶低通滤波器的负输入端作为差分信号的负输入端，所述第一二阶低通滤波器的正输出端连接第二二阶低通滤波器的正输入端，所述第一二阶低通滤波器的负输出端连接第二二阶低通滤波器的负输入端，所述第二二阶低通滤波器的正输出端连接第一NMOS晶体管的漏极和第三NMOS 晶体管的漏极，所述第二二阶低通滤波器的负输出端连接第二NMOS晶体管的漏极和第四 NMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的源极连接第三二阶低通滤波器的正输入端，所述第二NMOS晶体管的源极连接第三二阶低通滤波器的负输入端，所述第三NMOS晶体管的源极连接第五NMOS晶体管的源极，所述第三NMOS晶体管的源极和第五NMOS晶体管的源极的连接端作为差分信号的正输出端，所述第四NMOS晶体管的源极连接第六NMOS 晶体管的源极，所述第四NMOS晶体管的源极和第六NMOS晶体管的源极的连接端作为差分信号的负输出端，所述第三二阶低通滤波器的正输出端连接第五NMOS晶体管的漏极，所述第三二阶低通滤波器的负输出端连接第六NMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第三NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的栅极、第五NMOS晶体管的栅极、第六NMOS晶体管的栅极分别作为开关的控制端；

所述第一二阶低通滤波器包括：第一放大器、第二放大器、第一开关阵列、第二开关阵列、第三开关阵列、第四开关阵列、第一无源电阻、第二无源电阻、第三无源电阻、第四无源电阻、第五无源电阻、第六无源电阻、第七无源电阻、第八无源电阻；

所述第二二阶低通滤波器包括：第三放大器、第四放大器、第五开关阵列、第六开关阵列、第七开关阵列、第八开关阵列、第九无源电阻、第十无源电阻、第十一无源电阻、第十二无源电阻、第十三无源电阻、第十四无源电阻、第十五无源电阻和第十六无源电阻；

所述第三二阶低通滤波器包括：第五放大器、第六放大器、第三无源电容、第四无源电容、第五无源电容、第六无源电容、第十七无源电阻、第十八无源电阻、第十九无源电阻、第二十无源电阻、第二十一无源电阻、第二十二无源电阻、第二十三无源电阻和第二十四无源电阻；