[实用新型]一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路有效
| 申请号： | 201720265271.9 | 申请日： | 2017-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN206962791U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵志良;谢国鹏;杨牧 | 申请（专利权）人： | 西安甘鑫电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/28 | 分类号： | H03K17/28;H03K17/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 信号 控制 隔离 延时 开机 电路 | ||
1.一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路、以及用于隔离延时PMOS管Q1导通的隔离延时电路，所述隔离延时电路与控制信号CTL连接。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接，所述PMOS管Q1的源极经电阻R2、电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端相连，所述NMOS管Q2的漏极还与所述隔离延时电路连接，所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接，所述NMOS管Q2的源极接地。
3.根据权利要求2所述的一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：所述隔离延时电路包括RC充放电电路和与RC充放电电路连接的光电耦合器U2，所述RC充放电电路包括一端与控制信号CTL连接的电阻R6，所述电阻R6另一端分三路，一路连接电容C2，另一路连接电阻R7，第三路与光电耦合器U2中发光二极管的正极连接，所述发光二极管的负极接地，所述光电耦合器U2中光敏三极管的漏极与所述NMOS管Q2的漏极连接，所述光电耦合器U2中光敏三极管的源极接地。
4.根据权利要求2所述的一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：所述导通维持电路包括电阻R1、电容C1、二极管D1、电阻R4和电阻R5，所述电阻R1并联于电阻R2和电阻R3的两端，所述二极管D1的正极与所述PMOS管Q1的漏极连接，所述二极管D1的负极与电阻R4一端连接，所述电阻R4另一端与所述NMOS管Q2的栅极连接，所述电阻R4另一端还经电阻R5接地，所述电阻R4另一端还经电容C1接地。
5.根据权利要求2所述的一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。
6.根据权利要求2所述的一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：所述稳压保护电路还包括与所述电容C1并联的反向稳压二极管ZD2。
7.根据权利要求2所述的一种低功耗的信号控制隔离延时开机电路，其特征在于：所述稳压保护电路还包括与所述NMOS管Q2漏极和源极并联的反向二极管D2。
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