[实用新型]晶体炉的真空与排气管路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体晶体炉，特别是涉及一种晶体炉的真空与排气管路结构。

背景技术

晶体炉是制造半导体晶体的专用设备，目前，有多种半导体晶体炉的晶体生长过程需要进行正压操作和抽真空操作，其正压操作压力可达1Mpa，其抽真空操作的真空绝压可达10torr，且目前半导体晶体炉设备大多体积较小，从设备强度设计考虑，不适宜设置过多设备开孔。由于在同一个晶体生长过程中，需要进行正压操作和抽真空操作，对于不耐正压的真空管路以及不耐负压的排气管路，提出了更高的改进要求。晶体炉内部需要维持一定正压的要求，因此排气管路具备微量排气的调节需求。在现有技术中，由于工艺正压操作压力较高，设备泄压排气速度过快，容易造成管路管件及设备内部内件震动，且晶体炉设备模块紧凑，炉内晶体生长时，高温也容易对管路阀门组件的软质密封件造成损坏。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种晶体炉的真空与排气管路结构，通过本技术方案，可以有效地满足真空管路的负压要求和排气管路的正压要求，并且整个真空与排气管路结构简洁紧凑，方便拆卸及维护。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：一种晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路、进气口、排气管路、真空及排气管路三通件、真空保护阀、排气保护阀，所述进气口设置在所述真空及排气管路三通件的前端上，所述真空保护阀设置在所述真空管路的前端，所述真空及排气管路三通件安装在所述真空保护阀的前端上，所述排气保护阀设置在所述排气管路的前端，所述排气保护阀的前端与所述真空及排气管路三通件连接。

作为本实用新型的进一步改进，包括水冷盘，所述水冷盘设置在所述真空及排气管路三通件的前端与所述进气口连接处的位置上。

作为本实用新型的又进一步改进，包括安全阀、排气阀、微量调节阀、微量调节排气阀，所述排气管路包括第一支路、第二支路和第三支路，所述第一支路设置有所述安全阀，所述第二支路与所述排气阀连接，所述第三支路与所述微量调节排气阀的进气端连接，所述微量调节排气阀的排气端通过管路与所述微量调节阀相连。

作为本实用新型的又进一步改进，包括限流孔板，所述限流孔板设置在所述第二支路的排气阀与所述排气保护阀之间的支路管路中。

作为本实用新型的更进一步改进，包括波纹软管，所述波纹软管分别设置在所述第二支路的排气阀与所述排气保护阀之间的支路管路上以及所述第三支路的微量调节排气阀与所述排气保护阀之间的支路管路上。

采用上述技术方案后的有益效果是：一种晶体炉的真空与排气管路结构，通过本技术方案，可以有效地满足真空管路的负压要求和排气管路的正压要求，便于按照晶体炉工艺需求进行正压操作和抽真空操作，且可有效避免管路部件因高温、振动造成的损毁，从而确保晶体炉整个长晶过程的顺利进行，整个真空与排气管路结构简洁紧凑，方便拆卸及维护。

附图说明

图1为本实用新型晶体炉的真空与排气管路结构的示意图。

图中序号，1 进气口、2 水冷盘、3 真空及排气管路三通件、4 真空保护阀、5 真空阀、6真空计、7 抽真空口、8 排气保护阀、9 安全阀、10 波纹软管、11 限流孔板、12 排气阀、13 微量调节阀、14 真空管路、15 微量调节排气阀、16 排气管路。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型中具体实施例作进一步详细说明。

如图1所示，本实用新型涉及的晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路14、进气口1、排气管路16、真空及排气管路三通件3、真空保护阀4、排气保护阀8、抽真空口7、真空计6、真空阀5，进气口1设置在真空及排气管路三通件3的前端上，真空保护阀4设置在真空管路14的前端上，真空及排气管路三通件3安装在真空保护阀4的前端上，排气保护阀8设置在排气管路16的前端，排气保护阀8的前端与真空及排气管路三通件3连接，真空管路14的后端设置有真空阀5，真空阀5上设置有抽真空口7，真空计6设置在真空管路14的外壁上并与真空管路14内相连通，真空阀上设置抽真空口，抽真空口与抽真空设备相连为现有技术，在此不再进一步详细说明。

本实用新型还包括水冷盘2，水冷盘2设置在真空及排气管路三通件3的前端与进气口1连接处的位置上。