[实用新型]基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，包括选择管和存储器件，所述的选择管与存储器件串联，所述选择管的另一端作为只读存储器的正极连接端，所述存储器件的另一端作为只读存储器的负极连接端，并在该端上设有判限电流源；其特征在于：

所述的选择管与存储器件之间连接有压差产生器件，所述压差产生器件上的压降作为存储器件体端与源端的电压差。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的压差产生器件至少包括一个MOS管，所述的MOS管的栅极与漏极短接。

3.根据权利要求2所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的压差产生器件还包括一个可控电流源，所述可控电流源的两端连接在所述MOS管的栅端和只读存储器的负极连接端。

4.根据权利要求2所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的压差产生器件包括多个串联的PMOS管或多个串联的NMOS管。

5.根据权利要求2或3所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述压差产生器件上的压降在0.6～1.2V之间。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的选择管为第一PMOS管，所述的存储器件为浮栅PMOS管，所述浮栅PMOS管的体端与所述只读存储器的正极连接端连接。

7.一种基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，包括选择管和存储器件，所述的选择管与存储器件串联，所述选择管的另一端作为只读存储器的正极连接端，所述存储器件的另一端作为只读存储器的负极连接端，并在该端上设有判限电流源；其特征在于：

所述的存储器件的栅端与源端之间并联有电容。

8.根据权利要求7所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：增大所述电容尺寸，在浮栅PMOS管的浮栅不存储电荷的情况下，能进一步降低其漏电。

9.根据权利要求8所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的电容为PIP电容，所述的PIP电容由如下步骤制成：在P型衬底上形成场区氧化层，在所述场区氧化层上淀积第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成氧化隔离层，在所述的氧化隔离层上淀积第二多晶硅层。

10.根据权利要求9所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的第一多晶硅层的长度大于所述第二多晶硅层。