[实用新型]CVD炉反应腔多角度供气装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种供气装置，具体是一种CVD炉反应腔多角度供气装置，属于半导体制造领域。

背景技术

CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。化学气相沉积使用的设备是CVD炉，经过CVD炉处理后，表面处理膜密着性约提高30％，因此在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用这种方法制备。在CVD炉设备中，供气部件是其中很关键的一部分，目前在半导体外延生长中使用的供气部件常为在反应腔壁上设置的进气孔，进气孔通常设计为气体分散式导向口。这种进气结构使得反应气入口至分解区域距离较远，且沉积气流的流场相对于待制备工件存在死角，反应气体利用率低；另外这种气体供给装置是固定在反应腔壁之上，为不可动结构。在晶体的外延生长中易形成不均匀固态沉积膜。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的是提供一种能够提高反应气体利用率，使气流流场在加工区域分布均匀，保证晶体外延生长均匀、形成厚度均匀的固态沉积膜的CVD炉反应腔多角度供气装置。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种CVD炉反应腔多角度供气装置，包括从外部伸入反应炉体的进气主管路，所述进气主管路通过中间连接管连接活动分支管路，且活动分支管路表面沿其长度方向设有多个气体喷出口，所述气体喷出口朝向依次排布的待加工工件；所述活动分支管路架设在反应炉体内部底板上的回转支撑座上，且活动分支管路上设有驱动机构，所述驱动机构驱动活动分支管路以其轴线为中心旋转。

优选的，所述驱动机构为对称设在活动分支管路一端两侧的气缸，所述气缸的气缸筒皆固定在反应炉体底部，且气缸的气缸杆端部分别与活动分支管路一端的安装板连接。

优选的，所述进气主管路、中间连接管和活动分支管路皆为耐高温管件。

进一步的，所述活动分支管路有多根且平行布置，活动分支管路分别通过中间连接管连接至进气主管路。

优选的，所述中间连接管为石墨管，石墨管套设在活动分支管路与进气主管路的接口连接处，且石墨管内壁设有耐磨密封环。

进一步的，所述反应炉体内部底板上设有与活动分支管路延伸方向相垂直的轨道，回转支撑座底端通过导向滑块与轨道配合在一起，且可沿着轨道移动。

本实用新型活动分支管路管体角度方向可以通过驱动机构调整，可以改变气体喷出口的喷出角度以及使气体喷出口朝向待加工工件的不同部位，实际反应时通过调整参数以按需自由改变气体喷出口在不同角度的停留时间，补偿气流相对于工件的流场不均匀现象，使待加工工件各个部位与气流接触的几率保持相同，经现场试验最终晶体外延生长均匀，能够形成厚度均匀的固态沉积膜，整体提高了气体利用率，降低了成本。

附图说明

图1是本实用新型的主视图；

图2是本实用新型的右视图；

图3是进气主管路和活动分支管路的连接示意图；

图中，1.进气主管路，1a.接口，2.中间连接管，2a.耐磨密封环，3.活动分支管路，3a.安装板，4.气体喷出口，5.驱动机构，5a.气缸筒，5b.气缸杆，6.回转支撑座，7.待加工工件，10.反应炉体。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

如图所示，一种CVD炉反应腔多角度供气装置，包括从外部伸入反应炉体10的进气主管路1，所述进气主管路1通过中间连接管2连接活动分支管路3，所述活动分支管路3的延伸方向与多个依次排布的待加工工件7的中轴线平行，且活动分支管路3表面沿其长度方向均匀间隔设有多个气体喷出口4，所述气体喷出口4朝向待加工工件7；所述活动分支管路3架设在反应炉体10内部底板上的回转支撑座6上，且活动分支管路3上设有驱动机构5，所述驱动机构5驱动活动分支管路3以其轴线为中心旋转。