[实用新型]CMP设备内部喷洒系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备化学机械抛光领域，尤其是一种CMP设备内的喷洒系统。

背景技术

化学机械抛光（简称CMP）设备是半导体晶圆生产的重要设备，现有的CMP设备内部喷洒系统只能用于清洗研磨头，不能清洁机器内部其他部位，以致于研磨液挥发物会沉积污染机器内部，日积月累，大的挥发物颗粒会掉落在研磨垫上导致晶圆划伤，严重时会导致晶圆报废。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种CMP设备内部喷洒系统，相较于现有技术能够发挥更好的清洗作用，实现CMP设备内部环境的清洁，降低CMP工艺时颗粒密度，提高晶圆良率。本实用新型采用的技术方案是：

一种CMP设备内部喷洒系统，包括至少一根支撑杆，所述支撑杆连接在支撑装置上，支撑杆位于相邻两个研磨头之间；支撑杆的安装高度高于研磨头；

在支撑杆上固定有喷洒器；所述喷洒器包括底座、底座内部的通道、转接头和喷嘴；两个转接头分别设在底座的两端，与通道连通，且所述转接头为倾斜角度转接头；喷嘴设在转接头上；

底座固定在支撑杆上，底座上的两个喷嘴分别位于所在支撑杆的两侧，并朝向外侧下方。

更优地，支撑杆设有数根，连接在CMP设备大盘中央上方的支撑装置上，并呈放射状向大盘外侧边缘延伸。

进一步地，转接头采用45度转接头。

本实用新型的优点在于：

1）能够清洁CMP设备内多处位置，清洁效果更好。

2）减少CMP设备内部颗粒残留，提高晶圆的良率。

附图说明

图1为本实用新型的CMP设备结构示意图。

图2为本实用新型的俯视角度示意图。

图3为本实用新型的喷洒器结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1所示为CMP设备之重要部分，包括大盘1、抛光垫2、研磨头3、支撑装置4；抛光垫2设置在大盘1的一个表面；研磨头3设置在抛光垫2上方，其一种较优的排布方式是，如图2所示，围绕抛光垫2中心沿周向均布数个；研磨头3下端通过吸附或粘附方式固定住晶圆（图1、图2中未画出晶圆，实际位于研磨头3与抛光垫2之间，吸附或粘附在研磨头3下端）；研磨头3将晶圆压在抛光垫2上，晶圆的一个待抛光面与抛光垫2接触；大盘1在其驱动机构带动下转动，大盘1的驱动机构可安装在大盘1下方；同时研磨头3在其驱动机构作用下带动晶圆转动；此时晶圆相对抛光垫2就会形成围绕晶圆中心自转和围绕抛光垫2中心公转的状态，同时在抛光垫2上喷淋抛光液，晶圆表面就会被抛光；

CMP设备内部喷洒系统，包括至少一根支撑杆5，所述支撑杆5连接在支撑装置4上，支撑杆5位于相邻两个研磨头3之间；支撑杆5的安装高度高于研磨头3；

优选地，支撑杆5设有数根，连接在大盘1中央上方的支撑装置4上，并呈放射状向大盘1外侧边缘延伸；

在支撑杆5上安装如图3所示的喷洒器6；所述喷洒器6包括底座601、底座601内部的通道602、转接头603和喷嘴604；

通道602是去离子水的通路，两个转接头603分别设在底座601的两端，与通道602连通，且所述转接头603为倾斜角度转接头，方便喷嘴604向两侧的侧下方喷射去离子水；喷嘴604设在转接头603上；

底座601固定在支撑杆5上，底座601上的两个喷嘴604分别位于所在支撑杆5的两侧，并朝向外侧下方；

转接头603具体可采用45度转接头；

工作时，去离子水通过底座601，再经过转接头603，从喷嘴604上向支撑杆5两侧侧下方的研磨头3喷洒去离子水，由于大盘1带动抛光垫2在转动，同时也可以对抛光垫2起到不间断的清洁作用。