[实用新型]一种双联节能LED半导体芯片

权利要求书

1.一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的LED半导体芯片由十部分组成，分别是直流电源、导线、正极铜电极、P-GaN薄膜、GaN薄膜、N-GaN薄膜、N-GaN基板、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜、负极铜电极，所述直流电源通过所述导线连接金属铜电极，电子由负极流入，经过N-GaN薄膜、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜、N-GaN基板、N-GaN薄膜、GaN薄膜、P-GaN薄膜，由负极流出，所述N-GaN薄膜、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜、N-GaN薄膜、GaN薄膜、P-GaN薄膜均为矩形截面结构且长、宽尺寸相同，所述P-GaN薄膜、N-GaN薄膜、GaN薄膜构成的P-GaN/N-GaN/GaN发光PN结通过化学气相沉积法与N-GaN基板在界面处通过化学键连接，所述N-GaN薄膜、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜构成的N-GaN/HfO2/P-ZnO发光PN结通过化学气相沉积法与N-GaN基板在界面处通过化学键连接，热量通过N-GaN基板由P-GaN/N-GaN/GaN发光PN结传递至N-GaN/HfO_2/P-ZnO发光PN结。

2.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述电源为直流稳压驱动电源，电压为5～10V。

3.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述正极铜电极与负极铜电极采用物理气相沉积法制备。

4.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的N-GaN基板采用化学气相沉积法制备，厚度0.5～1.0mm。

5.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的N-GaN薄膜采用化学气相沉积法制备，厚度0.1～0.15mm。

6.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的GaN薄膜采用化学气相沉积法制备，厚度0.01～0.04mm。

7.权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的P-GaN薄膜采用化学气相沉积法制备，厚度0.1～0.22mm。

8.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的HfO2薄膜采用化学气相沉积法制备，厚度0.01～0.03mm。

9.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的P-ZnO薄膜采用化学气相沉积法制备，厚度0.1～0.2mm。

10.如权利要求1所述的一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：

所述的双联节能LED半导体芯片，可通过P-ZnO薄膜与N-GaN薄膜中掺杂元素浓度的调节，实现吸热功率的调节。