[发明专利]半导体结构及形成方法、静态随机存取存储器及形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的第三区，所述基底上具有第一鳍部，且所述第一鳍部横跨第一区、第二区和第三区；

在所述第一区基底表面形成伪鳍部，所述伪鳍部与第一鳍部沿第一鳍部宽度方向上平行排列；

形成横跨第三区第一鳍部的第一栅极结构；

形成所述第一栅极结构之后，在所述第一区第一鳍部和伪鳍部内形成源区；

形成所述第一栅极结构之后，在所述第二区第一鳍部内形成漏区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，源区的体积大于漏区的体积。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪鳍部侧壁到第一鳍部侧壁的最小距离为：36纳米～40纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的宽度为：9纳米～11纳米；所述伪鳍部的宽度为：9纳米～11纳米。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿第一鳍部宽度方向上，所述源区的尺寸为：54纳米～62纳米，所述漏区的尺寸为：

9纳米～11纳米。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底、第一鳍部和伪鳍部的形成方法包括：提供初始基底，所述初始基底上具有若干相互分立的牺牲层；在所述牺牲层的侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述初始基底，形成基底和位于基底表面的初始鳍部结构；在所述基底和部分初始鳍部结构表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，去除部分初始鳍部结构，形成第一鳍部和伪鳍部。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层包括相对的第一侧和第二侧；所述侧墙包括位于牺牲层第一侧侧壁的第一侧墙部以及位于牺牲层第二侧侧壁的第二侧墙膜；以所述第一侧墙部为掩膜，刻蚀所述初始基底，形成第一鳍部；以所述第二侧墙部为掩膜，刻蚀所述初始基底，形成初始伪鳍部；去除部分初始伪鳍部，形成伪鳍部。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述漏区和源区的形成步骤包括：在所述第一区第一鳍部和伪鳍部内形成源开口，在第二区第一鳍部内形成漏开口；在所述源开口内形成源外延层；在所述漏开口内形成漏外延层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源外延层的材料包括碳化硅，所述漏外延层的材料包括碳化硅。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的第三区，所述基底上具有第一鳍部，且所述第一鳍部横跨第一区、第二区和第三区；

位于所述第一区基底上的伪鳍部，所述伪鳍部与第一鳍部沿第一鳍部宽度方向上平行排列；

横跨第三区第一鳍部的第一栅极结构；

位于所述第一区第一鳍部和伪鳍部内的源区；

位于所述第二区第一鳍部内的漏区，且漏区和源区分别位于第一栅极结构的两侧。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，源区的体积大于漏区的体积。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述伪鳍部侧壁到第一鳍部侧壁的最小距离为：36纳米～40纳米。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部的宽度为：9纳米～11纳米；所述伪鳍部的宽度为：9纳米～11纳米。

14.如权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，沿第一鳍部宽度方向上，所述源区的尺寸为：54纳米～62纳米，所述漏区的尺寸为：9纳米～11纳米。