[发明专利]连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法有效
| 申请号: | 201711447812.0 | 申请日: | 2017-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN107887291B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 章晓文;恩云飞;何玉娟 | 申请(专利权)人: | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘艳丽 |
| 地址: | 511300 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接通 迁移 寿命 时间 测试 装置 及其 方法 | ||
1.一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置,其特征在于,包括第一温度检测模块、第一处理器以及用于与第一接触层和/或第二接触层压合的加热板;其中,第一接触层和/或第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层;
所述加热板用于接入工作电流,加热所述第一接触层和/或所述第二接触层;其中,所述第一接触层和所述第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层;
所述第一温度检测模块用于检测加热板的温度值;
所述第一处理器连接所述第一温度检测模块,用于根据加热板的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。
2.根据权利要求1所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试装置,其特征在于,所述加热板为多晶加热板。
3.根据权利要求1所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试装置,其特征在于,所述第一温度检测模块包括功率测量模块和第一温度计算模块;
所述功率测量模块用于测量所述加热板所消耗的功率;
所述第一温度计算模块连接所述功率测量模块,用于根据所述加热板所消耗的功率计算加热板的温度值;
所述第一温度计算模块连接所述第一处理器。
4.一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置,其特征在于,包括第二温度检测模块、第二处理器和用于与第一接触层和/或第二接触层压合的加热板;其中,第一接触层和/或第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层;
所述加热板用于接入工作电流,加热所述第一接触层和/或所述第二接触层;其中,所述第一接触层和所述第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层;
所述第二温度检测模块用于分别检测所述第一接触层和所述第二接触层的温度值;
所述第二处理器连接所述第二温度检测模块,用于根据所述第一接触层和所述第二接触层的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。
5.根据权利要求4所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试装置,其特征在于,所述第二温度检测模块包括第一电阻测量模块、第二电阻测量模块、第二温度计算模块、设置于所述第一接触层的第一温度检测金属线以及设置于所述第二接触层的第二温度检测金属线;
所述第一温度检测金属线和所述第二温度检测金属线分别与外部电源形成回路;
所述第一电阻测量模块与所述第一温度检测金属线并联连接,用于检测第一温度检测金属线的电阻;
所述第二电阻测量模块与所述第二温度检测金属线并联连接,用于检测第二温度检测金属线的电阻;
所述第二温度计算模块分别连接所述第一电阻测量模块和所述第二电阻测量模块,用于根据所述第一温度检测金属线的电阻计算第一接触层的温度值,根据所述第二温度检测金属线的电阻计算第二接触层的温度值;
所述第二温度计算模块连接所述第二处理器。
6.一种连接通孔的电迁移寿命时间测试方法,应用于如权利要求1至3任意一项所述的电迁移寿命时间测试装置,其特征在于,包括步骤:
分别获取加热板的温度值和连接通孔的焦耳热温度值;
根据所述加热板的温度值与所述焦耳热温度值之和,获得连接通孔的应力温度;
根据所述连接通孔的应力温度获得连接通孔的电迁移寿命时间。
7.根据权利要求6所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试方法,其特征在于,若所述加热板为多晶加热板,则所述获取加热板的温度值的过程,如下式:
其中,ΔT为所述加热板的温度值,T0为室温;Pp为加热板消耗的功率,且其中Ip为多晶加热板的电流值,Rp为多晶加热板的电阻值;k为多晶加热板氧化层的热导率,h为多晶加热板绝缘层的厚度,Lp为多晶加热板的长度,Wp为多晶加热板的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所,未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711447812.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





