[发明专利]一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性的激光刻划技术

权利要求书

1.一种提高碲化镉薄膜太阳能电池测试准确性的激光刻划方法,其特征是，利用Nd:YAG脉冲激光分隔小面积碲化镉薄膜太阳电池，包括以下步骤：

步骤1：标准CdTe太阳电池制备流程依次在均匀涂覆有SnO :F透明导电薄膜的衬底上沉积窗口层/缓冲层、吸收层、背接触层并对各膜层进行对应的后处理,最后用掩膜技术在期望形成完整电池结构的区域用真空蒸发法镀上金电极；

步骤2：先将背电极部分用黑胶小心完全涂覆遮盖，黑胶固化后用溴甲醇溶液洗去电极之外的其他功能层,最后将黑胶除去；

步骤3：在步骤2的基础上，用激光刻划定义一个较掩膜法更小更精确的电池面积，在原来形成的金电极边缘向内刻划1到2mm；

利用脉冲激光对完整结构的CdTe薄膜太阳电池进行分隔；

刻划时选用光阑孔径为3mm，振镜工作台相对高度408mm，功率因子400，重频15kHz，刻划速度600mm/s，开/关光延时分别为80/120μs，使用离焦激光刻划技术，通过调节功率参数实现，实现在完成其他功能膜层的彻底分割并形成整齐断面的同时，不可损伤透明导电层。