[发明专利]高频电路用铜箔及其制造方法

权利要求书

1.一种高频电路用铜箔，其特征在于包括：

电镀铜层；

细微粗化铜层，位于该电镀铜层的表面，由粒径100nm～200nm的铜颗粒或铜合金颗粒所组成；

锌镍镀层，位于该细微粗化铜层上，该锌镍镀层包含有90μg/dm²～150μg/dm²的锌及75μg/dm²～120μg/dm²的镍；

防锈层，位于该锌镍镀层上，该防锈层包含20μg/dm²～40μg/dm²的铬；以及

疏水层，位于该防锈层上，该疏水层具有80度至150度的疏水角度，

所述高频电路用铜箔的表面均方根粗糙度介于0.1μm～0.5μm。

2.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其特征在于该疏水层选自硅烷材料。

3.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其特征在于该锌镍镀层的镍与该疏水层的硅的重量比为1.8～4.5。

4.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其特征在于该锌镍镀层的锌与该疏水层的硅的重量比为2.2～5.5。

5.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其特征在于该铜合金由铜与选自Co、Ni、Fe及Mo的金属所形成。

6.如权利要求2所述的高频电路用铜箔，其特征在于该硅烷材料包括乙烯基硅烷、环氧基硅烷或氨基硅烷。

7.如权利要求6所述的高频电路用铜箔，其特征在于该氨基硅烷包括：2-氨乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、2-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷或3-氨丙基三乙氧基硅烷。

8.如权利要求6所述的高频电路用铜箔，其特征在于该乙烯基硅烷包括：乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷。

9.一种高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于包括：

在电镀铜层的表面上形成细微粗化铜层，该细微粗化铜层由粒径100nm～200nm的铜颗粒或铜合金颗粒所组成；

使用锌镍共电镀配方进行电镀3秒以上，以在该细微粗化铜层上形成锌镍镀层，该锌镍镀层包含有90μg/dm²～150μg/dm²的锌及75μg/dm²～120μg/dm²的镍；

在该锌镍镀层上形成防锈层，该防锈层包含20μg/dm²～40μg/dm²的铬；以及

在该防锈层上形成疏水层，该疏水层具有80度至150度的疏水角度。

10.如权利要求9所述的高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于该锌镍共电镀配方包括锌、镍与焦磷酸钾。

11.如权利要求9所述的高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于形成该锌镍镀层的该电镀的时间为3秒至5秒。

12.如权利要求9所述的高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于该疏水层选自硅烷材料。

13.如权利要求12所述的高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于该硅烷材料包括乙烯基硅烷、环氧基硅烷或氨基硅烷。