[发明专利]一种高可靠性集成电路板的制备方法在审
| 申请号: | 201711397736.7 | 申请日: | 2017-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN108133883A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
| 发明(设计)人: | 樊超 | 申请(专利权)人: | 苏州赛源微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 韩飞 |
| 地址: | 215011 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路板 超声清洗 高可靠性 清洗篮 烘干 制备 集成电路板表面 化学气相沉积 电路板表面 电子元器件 纯水冲洗 磁控溅射 关键工序 紧密排列 压缩氮气 真空压力 间歇式 清洗液 水滴 污垢 超声 刻蚀 停歇 浸泡 清洗 腐蚀 曝光 | ||
本发明提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法,分别在集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在80~120kHZ频率下超声清洗3~5min,其中,超声清洗为间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,所述网状清洗篮的孔径高于30mm;步骤2:采用纯水冲洗集成电路板,然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;步骤3:在真空压力为‑0.09~‑0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干,其中,烘干温度为40~60℃。本发明在集成电路板的关键工序前,能够将电路板表面,以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净,且对集成电路板没有任何的腐蚀。
技术领域
本发明涉及集成电路板领域。更具体地说,本发明涉及一种高可靠性集成电路板的制备方法。
背景技术
集成电路作为电子产品中的核心部件,其质量的好坏直接决定了到电子整机产品的性能和可靠性的高低。在集成电路的制备过程中,其表面粘附的颗粒、有机物、金属等污染物严重影响器件的性能。例如:
(1)颗粒性污染物--灰尘、棉绒和焊锡球等。其中,尤其是焊锡球是一种焊接缺陷,如果设备的振动使大量小焊锡球聚集到一个部位上,便可能引起电短路。
(2)非极性污染物--松香树脂、石蜡及波峰焊上使用的抗氧化油,还有操作者遗留下的化妆品或洗手剂等。非极性污染物会影响集成电路板的外观,且易导致接触不良。
(3)极性沾污物--卤化物、酸和盐等,极性沾污物易导致介质击穿、漏电、元件/电路腐蚀等现象。
随着集成电路板中单元图案的日益微型化以及集成度的日益提高,污染物对集成电路板的影响也愈加突出。但现有的集成电路板清洗技术存在清洗效果不佳或硅片在清洗过程中被腐蚀等现象,目前因清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。
发明内容
本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷,并提供至少后面将说明的优点。
本发明还有一个目的是提供一种高可靠性集成电路板的制备方法,其在集成电路板的关键工序前,能够将电路板表面,以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净,且对集成电路板没有任何的腐蚀,可显著提高集成电路板的使用寿命和可靠性。
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点,提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法,分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在80~120kHZ的频率下超声清洗3~5min,其中,超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,所述网状清洗篮的孔径高于30mm;
间歇式的操作可避免长时间超声操作引起的集成电路板的老化,并且本申请文件采用较高的频率对集成电路板进行清洗,超声波的穿透能力强,对集成电路板内部或狭小的缝隙起到良好的清洁效果;并且超声装置中网状清洗篮的孔径要高于30mm,否则会影响超声清洗的效果。
步骤2:采用纯水冲洗集成电路板,然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:采用真空烘箱将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.09~-0.05Mpa,烘干温度为40~60℃,在真空条件下,可实现集成电路板在较低温度下的快速干燥,且干燥条件温和,避免集成电路在高温下的老化。
优选的是,其中,所述清洗液包括如下重量组份:
本申请文件中,超声波配合清洗液可去除集成电路板表面微米级的污物,并且对集成电路板没有任何的损伤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





