[发明专利]基板处理设备

说明书

提供了一种具有改进的均匀性和反应速度的基板处理设备。一种基板处理设备，包括：主体部分，其包括排放路径；气体供应单元，其连接到所述主体部分；第一分隔件，其从所述主体部分延伸；第二分隔件，其从所述主体部分延伸，并且布置在所述气体供应单元与所述第一分隔件之间；以及基板支撑单元，其被构造为与所述第一分隔件表面密封，其中所述第一分隔件和所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元和所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年12月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0173619的韩国专利申请的优先权，其公开内容以其整体通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及具有改进的均匀性和反应速度的基板沉积设备。

背景技术

在制造半导体器件的工艺中，随着电线宽度的减小，要求更精确的工艺控制。在作为重要的半导体工艺之一的膜沉积工艺中，已经付出了改善膜沉积的均匀性和沉积速度的各种努力。

在使用流体流动的诸如膜沉积或膜蚀刻等基板处理工艺中，待处理基板的中央部分和边缘部分的反应环境彼此不同。由于反应环境的差异，中心部分和边缘部分的反应的均匀性是重要的。随着电线宽度的减小，这个问题变得更加重要。

此外，在形成细线宽度的工艺中，问题是反应速度降低以执行更精确的处理。特别是，近来用于实现细线宽度的原子层沉积工艺是开关型工艺，在该工艺中通过开启/关闭阀在反应空间中交替地引入源气体和反应气体而一层接一层地沉积原子层。然而，与传统的沉积工艺相比，原子层沉积工艺存在的问题在于生产量(例如每小时处理的基板的数量)较低。

发明内容

一个或多个实施例包括可以具有改进的均匀性和反应速度的基板沉积设备。

其他方面将在下面的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例而了解。

根据一个或多个实施例，一种基板处理设备，包括：主体部分，其包括排放路径；气体供应单元，其连接到所述主体部分；第一分隔件，其从所述主体部分延伸；第二分隔件，其从所述主体部分延伸，并且布置在所述气体供应单元与所述第一基板之间；以及基板支撑单元，其被构造为与所述第一分隔件表面密封，其中所述第一分隔件和所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元和所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径。

在第二分隔件和气体供应单元之间可以形成间隙。

主体部分还可以包括：第一排放通道，其将在第一分隔件和第二分隔件之间的第一区域与排放路径相连接；以及第二排放通道，其将气体供应单元和第二分隔件之间的第二区域与排放路径相连接。

基板处理设备还可以包括布置在气体供应单元上的绝缘板，其中第二区域经由绝缘板和主体部分之间的空间与第二排放通道连通。

第二排放通道可以围绕绝缘板的边缘形成。

绝缘板的边缘可以包括凹陷表面，并且第二区域可以经由凹陷表面和主体部分之间的空间与第二排放通道连通。

从第二区域到第二排放通道的路径的方向可以改变至少两次。

基板处理设备可以进一步包括控制器，该控制器被构造成执行一个周期至少一次，该周期包括供应第一气体的第一步骤和供应第二气体的第二步骤。

基板处理设备还可以包括控制器，该控制器被构造为执行一个周期多次，该周期包括供应源气体的第一步骤，清除源气体的第二步骤，供应反应气体的第三步骤以及清除反应气体的第四步骤。

可以通过第一区域和第二区域分配和排放源气体和反应气体中的每一者。