[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

在液晶显示面板上制备黑矩阵时，一般在形成所述黑矩阵的基板上先设置对位标记，再在所述基板上形成黑矩阵材料层，最后图案化所述黑矩阵材料层以得到所述黑矩阵。图案化所述黑矩阵材料层时，用于图案化所述黑矩阵材料层的光罩需要与所述对位标记进行对位。但是，当所述黑矩阵材料层的厚度较厚时，所述黑矩阵材料层会遮挡所述对位标记，从而影响对位器对所述对位标记的识别，进而影响所述黑矩阵的位置精度，影响所述液晶显示面板的品质。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，避免所述黑矩阵材料层对所述对位器对所述对位标记的遮挡，从而提高所述黑矩阵的位置精度，提高所述液晶显示面板的品质。

所述阵列基板的制作方法包括步骤：

在衬底基板上形成对位标记；

对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行表面疏水处理，使得所述对位标记背向所述衬底基板的表面疏水；

在所述衬底基板上沉积黑矩阵材料层，使得所述黑矩阵材料层覆盖所述衬底基板，且所述黑矩阵材料层对应于所述对位标记的位置的厚度小于所述黑矩阵材料层其它位置的厚度；或者，所述黑矩阵材料层覆盖所述衬底基板除对应于所述对位标记的位置外的其它位置；

图案化所述黑矩阵材料层形成黑矩阵。

其中，步骤“对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行表面疏水处理”包括：在所述对位标记背向所述衬底基板的一面覆盖疏水薄膜层，所述疏水薄膜层的表面能低于所述对位标记的表面能。

其中，所述疏水薄膜层为含氟高分子薄膜层、含硅高分子薄膜层或功能分子层。

其中，所述疏水薄膜层通过气相沉积、电化学沉积、喷墨打印、喷涂、刮刀涂布或者浸渍涂布中任意一种方式形成于所述对位标记上。

其中，步骤“对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行处理”包括：对所述对位标记的背向所述衬底基板的一面进行处理，在所述对位标记的背向所述衬底基板的一面形成疏水的微纳结构。

其中，所述阵列基板制作方法还包括步骤：在衬底基板上形成薄膜晶体管及走线，所述走线与所述对位标记通过同一制程形成。

其中，所述阵列基板制作方法还包括步骤：在所述黑矩阵上形成图案化的彩色光阻层及像素电极。

所述阵列基板包括衬底基板，设于所述衬底基板上的对位标记及层叠于所述衬底基板上的黑矩阵，所述黑矩阵覆盖所述对位标记，所述对位标记上覆盖的黑矩阵的厚度小于所述黑矩阵其他位置的厚度；或者，所述黑矩阵与所述对位标记不重合。

其中，所述对位标记背离所述衬底基板的一面上覆盖有疏水薄膜层或者所述对位标记背离所述衬底基板的一面形成有疏水的微纳结构。

所述显示面板包括所述阵列基板。

本发明提供的所述阵列基板的制作方法，通过对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行表面疏水处理，使得所述对位标记表面疏水，进而使得所述黑矩阵材料沉积于所述衬底基板上时，由于所述对位标记表面的疏水性能，从而使得所述黑矩阵材料不会沉积于所述对位标记上，或者沉积于所述对位标记上的所述黑矩阵材料层的厚度较其它位置的黑矩阵材料层的厚度较薄，进而避免所述黑矩阵材料层会遮挡所述对位标记，保证对位器对所述对位标记的清楚识别，进而保证所述黑矩阵的位置精度，提高所述液晶显示面板的品质。

附图说明

为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。

图1是本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程图；

图2-图5是图1所述实施例的阵列基板的制作方法各步骤的阵列基板的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，不能理解为对本专利的限制。

请参阅图1，本发明提供一种阵列基板的制作方法。本实施例中，通过所述阵列基板的制作方法制作得到阵列基板100。其中，所述阵列基板100的制作方法包括：

步骤110、请参阅图2，在衬底基板10上形成对位标记20。