[发明专利]双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层；

通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；

在所述隔离沟槽底部填充第一氧化物，所述第一氧化物的上表面高于所述N型埋层的下表面且低于所述N型埋层的上表面；

在所述隔离沟槽的第一氧化物上填充N型多晶硅将所述隔离沟槽填满；

对所述N型多晶硅进行高温氧化使得所述N型多晶硅全部氧化为所述第二氧化物，同时所述N型多晶硅的N型离子向所述N型外延层扩散从而形成包围所述隔离沟槽的N型阱区；

在所述N型外延层表面形成基区、连接所述基区的基区P型接触区，在所述基区上的N型发射极多晶硅，在所述基区P型接触区上形成P型基区接触多晶硅，在所述P型基区接触多晶硅上形成氧化物隔离层，以及形成连接所述N型发射极多晶硅的发射极金属、连接所述P型基区接触多晶硅的基极金属及连接所述N型阱区的集电极金属。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：在所述隔离沟槽底部填充第一氧化物的步骤包括：在所述隔离沟槽中填满所述第一氧化物，对所述第一氧化物进行回刻去除所述隔离沟槽上部的第一氧化物，保留所述隔离沟槽底部的第一氧化物。

3.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述高温氧化的温度在950摄氏度-1050摄氏度的范围内。

4.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述集电极金属连接所述N型阱区邻近所述基区P型接触区的一侧。

5.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述基区P型接触区、所述基极金属、所述隔离沟槽、所述N型阱区、所述集电极金属的数量均为两个，所述两个基区P型接触区分别位于所述基区的两侧，所述两个基极金属分别连接所述基区P型接触区，所述两个隔离沟槽及对应的两个N型阱区分别位于所述基区及两个基区P型接触区的两侧，所述两个集电极金属分别连接所述N型阱区邻近所述基区及基区P型接触区的一侧。

6.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述隔离沟槽的宽度在0.5um-1.5um的范围内。

7.一种双极晶体管，其特征在于：所述双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型埋层、形成于所述N型埋层上的N型外延层、贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽、设置于所述隔离沟槽中的氧化物、设置于所述隔离沟槽外围并包围所述隔离沟槽的N型阱区、设置于所述N型外延层表面的基区、连接所述基区的基区P型接触区、设置于所述基区上的N型发射极多晶硅、设置于所述基区P型接触区上的P型基区接触多晶硅、形成于所述P型基区接触多晶硅上的氧化物隔离层、连接所述N型发射极多晶硅的发射极金属、连接所述P型基区接触多晶硅的基极金属及连接所述N型阱区的集电极金属。

8.如权利要求7所述的双极晶体管，其特征在于：所述集电极金属连接所述N型阱区邻近所述基区P型接触区的一侧。

9.如权利要求7所述的双极晶体管，其特征在于：所述基区P型接触区、所述基极金属、所述隔离沟槽、所述N型阱区、所述集电极金属的数量均为两个，所述两个基区P型接触区分别位于所述基区的两侧，所述两个基极金属分别连接所述基区P型接触区，所述两个隔离沟槽及对应的两个N型阱区分别位于所述基区及两个基区P型接触区的两侧，所述两个集电极金属分别连接所述N型阱区邻近所述基区及基区P型接触区的一侧。

10.如权利要求7所述的双极晶体管，其特征在于：所述隔离沟槽的宽度在0.5um-1.5um的范围内。