[发明专利]浪涌电流防止电路及其防止方法、计算机可读取记录介质

说明书

本发明提供浪涌电流防止电路、浪涌电流防止方法以及计算机可读取记录介质。提供可以防止由于因浪涌电流所引起的电源的电流容量不足而导致的电压下降的浪涌电流防止电路，其具备：电压检测部，其检测由电源施加的输入电压的值；电流检测部，其检测来自电源的输入电流的值；限流元件，其进行输入电流的限制；电压下降检测部，其使用通过电压检测部检测出的检测电压值和通过电流检测部检测出的检测电流值，检测由浪涌电流引起的电源的电压下降；以及控制部，其在电压下降检测部检测出所述电压下降时，使限流元件的限流电平下降。

技术领域

本发明涉及浪涌电流防止电路、浪涌电流防止方法以及浪涌电流防止用程序，特别是涉及具有进行输入电流的限制的限流元件的浪涌电流防止电路、浪涌电流防止方法以及计算机可读取记录介质。

背景技术

浪涌电流防止电路用于抑制对设备的浪涌电流，例如在专利文献1～3中公开了浪涌电流防止电路。

专利文献1的图3所示的浪涌电流防止电路使用MOSFET16作为浪涌限流电阻，通过两端间电压监视部15监视MOSFET的源极漏极两端间电压，并通过栅极电压监视部17监视MOSFET的栅极电压，由此检测MOSFET的故障，并使切断元件102工作。另外，图3所示的浪涌电流防止电路使用PTC热敏电阻器、NTC热敏电阻器等的过热检测部18来检测MOSFET的温度，当超过了过热检测的阈值时，无论其他的检测电路的状态如何，都使保险丝、断路器等的切断元件动作。

专利文献2在图2中公开了浪涌电流防止电路的结构。在图2中，如果在启动电路2中输入电压Vin成为检测阈值Vdet，则导通晶体管26，并对限流电路3的MOSFET33的栅极施加斜坡波形的栅极电压Vg。然后，由于栅极电压Vg的上升，接通MOSFET33，如果漏极-源极间的电压下降，则经由电容器34以及电阻35向栅极传递下降的变动。其结果是，栅极电位变为恒定，流过MOSFET33电流变为恒定。输入电容器6的充电电压也以斜坡波形被逐渐充电，如果输入电容器6的充电完成，则MOSFET33的栅极电位将上升到齐纳二极管27的动作电压值，并被固定为恒定值。

专利文献3在图1中公开了浪涌限流电路20的结构。在图1中，电流传感器61为了将负载电流ILOAD的大小限制为预先决定的最大值而调整VDRIVE。欠电压锁定电路64检测供给电压Vsupp的大小，并断开晶体管50直到供给电压Vsupp上升至一定的电平以上。在供给电压Vsupp上升到关断电平以上时，过电压切断电路65关断检测电路30以及晶体管50。热切断电路63在温度上升到阈值温度时，断开晶体管50。

专利文献

专利文献1：日本特开2012-152001号公报(图3等)

专利文献2：日本特开2011-167012号公报(图2等)

专利文献3：日本特表2006-506038号公报(图1等)

发明内容

上述专利文献1～3所记载的浪涌电流防止电路可以抑制输入到设备的浪涌电流。但是，当从单个电源向多个设备进行分支供电时，在各设备中有时会单独产生浪涌电流。如果多个设备中的浪涌电流的时刻重合，则由于电源的电流容量不足而发生电压下降等问题。

本发明的目的在于，提供可以防止由电源的电流容量不足引起的电压下降的浪涌电流防止电路、浪涌电流防止方法以及计算机可读取记录介质。

技术方案(1)：本发明所涉及的浪涌电流防止电路(例如，后述的浪涌电流防止电路10、10A)具备：

电压检测部(例如，后述的电压检测部11)，其检测由电源(例如，后述的电源3)施加的输入电压的值；

电流检测部(例如，后述的电流检测部13)，其检测来自所述电源的输入电流的值；

限流元件(例如，后述的限流元件12)，其进行所述输入电流的限制；