[发明专利]一种封装薄膜及其制备方法、光电器件

权利要求书

1.一种封装薄膜，其特征在于，包括层叠设置的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的1-4层陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜；在碱性条件下，所述陶瓷材料与有机单体按照预定重量比进行第一次反应；加入催化剂，在真空条件下进行第二次反应，得到组成第一共混膜的共混材料，所述有机单体为组成所述聚合物的单体。

2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷材料为氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛和氧化钨中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一有机薄膜材料、第二有机薄膜材料、第一共混膜中的聚合物以及第二共混膜中的聚合物独立选自聚乳酸，聚四氟乙烯，聚甲基硅氧烷和聚丙烯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一有机薄膜的厚度为1-3μm；和/或所述第二有机薄膜的厚度为1-3μm。

5.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一共混膜的厚度为0.8-1.2μm；和/或所述第二共混膜的厚度为0.8-1.2μm。

6.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜的厚度为0.1-1μm。

7.一种封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供待封装器件，在所述器件表面沉积第一有机薄膜；

在第一有机薄膜上沉积第一共混膜，所述第一共混膜由聚合物和陶瓷材料组成，在碱性条件下，所述陶瓷材料与有机单体按照预定重量比进行第一次反应；加入催化剂，在真空条件下进行第二次反应，得到组成第一共混膜的共混材料，所述有机单体为组成所述聚合物的单体；

在第一共混膜上沉积叠层设置的N层陶瓷膜，1≤N≤4；

在第N层陶瓷膜上沉积第二共混膜，所述第二共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；

在第二共混膜上沉积第二有机薄膜。

8.根据权利要求7所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述在第一有机薄膜上沉积第一混合膜的制备包括如下步骤：

在碱性条件下，将无机前驱体和有机单体按照预定重量比在惰性气氛下进行第一次反应；

加入催化剂，在真空条件下进行第二次反应后得到共混材料；

将所述共混材料干燥后分散到四氢呋喃溶剂中，得到由聚合物和陶瓷材料组成的共混液；

在第一有机薄膜上沉积由聚合物和陶瓷材料组成的共混液，得到第一共混膜。

9.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述无机前驱体为正硅酸乙酯、硝酸铝、醋酸锌、钨酸钠或钛酸四丁酯。

10.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机单体为乳酸，四氟乙烯，甲基硅氧烷和丙烯中的一种或多种。

11.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述催化剂为辛酸亚锡、乙酸亚锡和盐酸中的一种或多种。

12.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一次反应的温度为50-100℃和/或升温速率为0.5-1℃/min。

13.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二次反应的温度为150-200℃。

14.一种光电器件，包括第一电极、发光层以及第二电极，其特征在于，所述第二电极上设置有封装薄膜，所述封装薄膜为权利要求1-6任一项所述的封装薄膜,或所述封装薄膜为权利要求7-13任一项所述方法制备的封装薄膜。