[发明专利]保护结构以及电子装置有效
申请号: | 201711331818.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN109747235B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 郑莛薰;张志嘉;张凱铭;庄瑞彰 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 结构 以及 电子 装置 | ||
1.一种保护结构,其特征在于,包括:
基板;
辅助层,位于所述基板上;以及
硬质涂层,位于所述辅助层上,所述辅助层位于所述基板与所述硬质涂层之间,其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量,所述硬质涂层的杨氏模量大于所述基板的杨氏模量,所述硬质涂层的杨氏模量大于10GPa并小于等于30GPa;
所述辅助层的杨氏模量介于15至100GPa,所述辅助层的杨氏模量与所述硬质涂层的杨氏模量的比值大于1且小于等于10,所述硬质涂层的厚度介于5至35μm,所述辅助层的厚度介于0.1至30μm,所述辅助层的厚度与所述硬质涂层的厚度的比值范围为0.003~6。
2.如权利要求1所述的保护结构,其特征在于,所述基板的杨氏模量介于1至20GPa。
3.如权利要求2所述的保护结构,其特征在于,所述基板的厚度介于5至50μm。
4.如权利要求3所述的保护结构,其特征在于,还包括光学结构层,其中所述光学结构层设置于所述基板上,所述基板位于所述光学结构层及所述辅助层之间,且所述光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa及厚度介于0.5至20μm。
5.如权利要求3所述的保护结构,其特征在于,还包括光学结构层,其中所述光学结构层设置于所述基板及所述辅助层之间,且所述光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa及厚度介于0.5至20μm。
6.如权利要求1所述的保护结构,其特征在于,所述辅助层包括无机材料或有机材料,所述无机材料包括类钻碳、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝二氧化钛、蓝宝石镀膜、氮氧化钛或聚硅氮烷。
7.如权利要求6所述的保护结构,其特征在于,所述辅助层靠近所述硬质涂层的表面为不连续面,所述不连续面具有微间隙小于1μm的表面结构。
8.如权利要求6所述的保护结构,其特征在于,所述硬质涂层包括异戊四醇三甲基丙烯酸酯、压克力材料,或前述材料的组合。
9.如权利要求1所述的保护结构,其特征在于,所述辅助层为图案化辅助层,所述图案化辅助层具有多个第一开口区,其中所述硬质涂层填入于所述图案化辅助层的所述第一开口区。
10.如权利要求1所述的保护结构,其特征在于,还包括界面层,其中所述界面层位于所述辅助层及所述硬质涂层之间。
11.如权利要求10所述的保护结构,其特征在于,所述辅助层为图案化辅助层,所述图案化辅助层具有多个第一开口区,其中所述界面层填入于所述图案化辅助层的所述第一开口区。
12.如权利要求1所述的保护结构,其特征在于,所述硬质涂层为图案化硬质涂层,其中所述图案化硬质涂层具有多个第二开口区,所述保护结构还包括第一辅助层,所述第一辅助层覆盖于所述图案化硬质涂层的上方及侧边,并覆盖于被所述第二开口区所曝露出来的所述辅助层的部分表面。
13.如权利要求1所述的保护结构,其特征在于,所述辅助层为图案化辅助层,所述图案化辅助层包括第一部分及第二部分,所述第二部分具有多个第三开口区,且所述第三开口区曝露出部分所述第一部分的表面,所述硬质涂层填入于所述第三开口区。
14.如权利要求13所述的保护结构,其特征在于,还包括界面层,其中所述界面层覆盖于所述第二部分的上方及侧边,并覆盖于被所述第三开口区所曝露出来的所述第一部分的所有表面,所述硬质涂层覆盖于所述界面层。
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