[发明专利]存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201711311654.6 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN109213705B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 李周映;金径鲁;李庆勋 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;王莹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 及其 操作方法
【说明书】:

本发明提供了一种存储装置及其操作方法。用于控制包括具有改进的读取性能的多个存储块的存储器装置的存储器控制器可以包括随机读取工作负载控制单元,其被配置为控制随机读取工作负载的状态,使得随机读取工作负载根据随机读取计数而处于设置状态和清除状态中的任一种,该随机读取计数是通过对从外部主机输入的随机读取请求的数量进行计数所得到;以及随机读取处理单元,其被配置为根据随机读取工作负载的状态来检索与各随机读取请求的逻辑地址对应的物理地址。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月7日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0086690的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的各种实施例总体上涉及电子装置。具体地,本发明的示例性实施例涉及存储装置和操作该存储装置的方法。

背景技术

存储装置是用于在主机装置的控制下存储数据的装置,诸如计算机、智能电话或智能平板。存储装置的实例包括用于在磁盘存储数据的装置,如在硬盘驱动器(HDD)的情况下,和用于在半导体存储器中存储数据的装置,特别是在非易失性存储器中,如在固态驱动器(SSD)或存储卡的情况下。

非易失性存储器的代表性实例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

本发明的各种实施例涉及具有改进的读取性能的存储装置以及操作该存储装置的方法。

本发明的实施例可以提供用于控制包括多个存储块的存储器装置的存储器控制器。存储器控制器可以包括随机读取工作负载控制单元,其被配置为控制随机读取工作负载的状态,使得随机读取工作负载根据随机读取计数而处于设置状态和清除状态中的任一个,该随机读取计数是通过对从外部主机输入的随机读取请求的数量进行计数所得到;和随机读取处理单元,其被配置为根据随机读取工作负载的状态来检索与各随机读取请求的逻辑地址对应的物理地址。

本发明的实施例可以提供用于存储器控制器的操作方法,该存储器控制器用于控制包括多个存储块的存储器装置。该方法可包括通过对从外部主机连续输入的随机读取请求的数量进行计数而产生随机读取计数;控制随机读取工作负载的状态使得随机读取工作负载根据随机读取计数处于设置状态和清除状态中的任一个;以及根据随机读取工作负载的状态来检索与各随机读取请求的逻辑地址对应的物理地址。

本发明的实施例可以提供一种存储装置。该存储装置可以包括:存储器装置,其包括多个存储块;和存储器控制器,其被配置为根据随机读取计数来检索与随机读取请求的逻辑地址对应的物理地址,该随机读取计数是通过对从外部主机连续输入的随机读取请求的数量进行计数而获得。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的存储装置的图。

图2是示出图1的存储器装置的结构的图。

图3是示出图2的存储器单元阵列的实施例的图。

图4是示出图3的存储块BLK1~BLKz的任一存储块BLK1的电路图。

图5是示出图3的存储块BLK1~BLKz中的任一存储块BLK1的实例BLK1′的电路图。

图6是示出图1的存储器控制器的图。

图7是用于说明根据本发明的实施例的存储器控制器的操作的流程图。

图8是用于说明根据在图7中随机读取工作负载是否已被设置来执行随机读取操作的方法的流程图。

图9是用于说明根据本发明的实施例的设置随机读取工作负载的操作的流程图。

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