[发明专利]发光装置

说明书

本发明公开一种发光装置，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、绝缘层、第一电极以及第二电极。发光层设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于发光层上。绝缘层至少设置于第一半导体层的侧壁上。第一电极设置于第一半导体层的底面及至少部分的绝缘层上。第二电极配置于第二半导体层上。

技术领域

本发明涉及一种发光装置。

背景技术

随着科技的进步，发光二极管已成为常见且广泛应用于各种领域的元件。以作为光源而言，发光二极管具有许多优点，包含能量消耗低、使用寿命长以及切换速度快等。因此，传统光源已经逐渐被发光二极管所替代。

除了作为光源外，发光二极管也已经应用于显示领域。举例而言，利用微型发光二极管作为像素的微型发光二极管显示器已经在这几年间被开发出来。然而，相较于传统发光二极管，微型发光二极管的出光面面积小。由于微型发光二极管的出光面面积小，其出光效率也连带偏低。也就是说，微型发光二极管存在有亮度不足的问题。如何能有效解决上述问题，已成为当前研发人员极需达成的目标之一。

发明内容

本发明提供一种发光装置，性能佳。

本发明的发光装置包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、绝缘层、第一电极及第二电极。发光层设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于发光层上。发光层具有底面、顶面及侧壁。发光层的侧壁连接于发光层的底面与发光层的顶面之间。第一半导体层具有底面、顶面及侧壁。第一半导体层的侧壁连接于第一半导体层的底面与第一半导体层的顶面之间。第一半导体层的顶面设置于第一半导体层的底面与发光层的底面之间。绝缘层至少设置于第一半导体层的侧壁上。第一电极设置于第一半导体层的底面及至少部分的绝缘层上，其中第一电极覆盖至少部分的第一半导体层的侧壁。第二电极配置于第二半导体层上。

基于上述，本发明一实施例的发光装置利用第一电极反射发光层所发出的光束，进而使光束由第二半导体层的顶面(即正面)出光。由此，发光装置的出光效率及/或亮度可提升。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为本发明一实施例的发光装置的制造流程剖面示意图；

图2为图1E的发光二极管的上视示意图；

图3为本发明另一实施例的发光装置的剖面示意图；

图4为本发明另一实施例的发光装置的剖面示意图；

图5为本发明另一实施例的发光装置的剖面示意图。

符号说明

10：生长基板

20：半导体叠层

100、200、300、400：发光装置

110：第一半导体层

110a、120a、130a：顶面

110b、120b、130b：底面

110c、120c、130c：侧壁

112：电连接区

120：第二半导体层

130：发光层

140、142、144：绝缘层

140a：接触孔

140b：端部侧壁区

150、152、154、156：第一电极

160：主动元件基板