[发明专利]一种暗室球面阵紧缩场静区特征谱分析方法有效
| 申请号: | 201711247327.9 | 申请日: | 2017-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN108009355B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 苏杨;尹光;耿波 | 申请(专利权)人: | 南京长峰航天电子科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210061 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 暗室 球面 紧缩 场静区 特征 谱分析 方法 | ||
1.一种暗室球面阵紧缩场静区特征谱分析方法,其特征在于:包括,
根据频段和紧缩场尺寸,设计馈源天线、反射面和球面阵模型;
将设计的模型导入电磁建模软件,提取出静区场采样点的电场分布;
根据静区场采样点的电场分布,计算静区场角谱分布;
使用FFT和IFFT计算静区场角谱分布,公式为,
其中,M和N分别为静区场在x和y方向采样点的数量,kx为波数的x方向分量,ky为波数的y方向分量,g为静区场电场分量,G为静区场角谱分量,FFT和IFFT为快速傅立叶变换和逆变换,p和q为二维FFT的元素序号,Δx、Δy为采样点在x和y方向上的间距,x0、y0是静区中心相对原点坐标;
kx和ky与角谱入射角的关系为,
kx=k0sin(θ)cos(φ)
ky=k0sin(θ)sin(φ)
其中,k0为自由空间中的波数,θ、φ为球坐标系的角度分量;
根据静区场角谱分析绕射场分布。
2.根据权利要求1所述的一种暗室球面阵紧缩场静区特征谱分析方法,其特征在于:在CAD软件中根据频段和紧缩场尺寸,设计馈源天线、反射面和球面阵模型。
3.根据权利要求1所述的一种暗室球面阵紧缩场静区特征谱分析方法,其特征在于:将模型导入FEKO,设置激励类型,提取出静区场采样点的电场分布。
4.根据权利要求3所述的一种暗室球面阵紧缩场静区特征谱分析方法,其特征在于:设置的激励类型为波导激励,采样点间距小于1/3个工作波长。
5.根据权利要求3所述的一种暗室球面阵紧缩场静区特征谱分析方法,其特征在于:FEKO导出.out文件,从该文件中提取出静区场采样点的电场分布。
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