[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

电介质层，位于所述衬底上方；

第一电阻器元件，嵌入所述电介质层中；

第二电阻器元件，嵌入所述电介质层中；

第一掺杂阱，位于所述衬底中，所述第一掺杂阱与所述第一电阻器元件对准，其中，所述电介质层覆盖所述第一电阻器元件的底面以隔离所述第一掺杂阱与所述第一电阻器元件；以及

第二掺杂阱，位于所述衬底中，所述第二掺杂阱与所述第二电阻器元件对准，其中，所述电介质层覆盖所述第二电阻器元件的底面以隔离所述第二掺杂阱与所述第二电阻器元件，所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱是非连续的，

其中，在顶视图中，所述第一电阻器元件在纵长向方向上延伸超出所述第一掺杂阱。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱是n阱。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底的部分将所述第一掺杂阱与所述第二掺杂阱隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱是浮置的阱。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱与电压线电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：设置在所述第一掺杂阱上的第一栅极结构以及设置在所述第二掺杂阱上的第二栅极结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器元件的宽度小于所述第一掺杂阱的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱是p阱。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：围绕所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱的n阱，所述n阱将所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱与所述衬底隔开。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述n阱是浮置的n阱。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述n阱连接至电压源。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

第一n阱，围绕所述第一掺杂阱并且将所述第一掺杂阱与所述衬底隔开；以及

第二n阱，围绕所述第二掺杂阱并且将所述第二掺杂阱与所述衬底隔开，所述第二n阱与所述第一掺杂阱是非连续的。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱接地。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电阻器元件和所述第二电阻器元件连接至单独的线，使得可以向所述第一电阻器元件和所述第二电阻器元件施加不同的电压。

15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成第一阱；

在所述衬底中形成第二阱，所述第二阱与所述第一阱是非连续的；

在所述衬底上方形成电介质层；

在所述电介质层中形成第一电阻器元件，所述第一电阻器元件直接位于所述第一阱的上方，其中，所述电介质层覆盖所述第一电阻器元件的底面以隔离所述第一阱与所述第一电阻器元件；以及

在所述电介质层中形成第二电阻器元件，所述第二电阻器元件直接位于所述第二阱的上方，其中，所述电介质层覆盖所述第二电阻器元件的底面以隔离所述第二阱与所述第二电阻器元件，

其中，在顶视图中，所述第一电阻器元件在纵长向方向上延伸超出所述第一阱。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：在所述第一阱和所述第二阱上方形成伪栅极结构。