[发明专利]一种全光谱白光微LED芯片及其荧光粉涂覆方法

说明书

技术领域

本发明涉及高品质照明技术领域，具体而言，涉及一种全光谱白光微LED芯片及其荧光粉涂覆方法。

背景技术

半导体照明光源是一种绿色环保节能的新型高效光源。半导体照明光源正在取代荧光灯和白炽灯等成为第四代照明光源。常见的白光LED是通过蓝光LED芯片激发荧光粉后混合获得，其中荧光粉涂覆技术的好坏直接影响LED的发光性能，涂覆的荧光粉种类和厚度等都会影响LED的发光效率、色温、显色指数等。

目前，大功率LED一般采用点胶的涂覆方法，该方法所制备的荧光粉胶层的形状和厚度难以精确控制。喷涂、旋涂等涂覆方法只能满足大尺寸LED芯片的涂覆。对于小尺寸LED芯片(毫米级微LED芯片或微米级微LED芯片)涂覆荧光粉，仍然难以实现。

另一方面，人们的生活水平不断提高，对照明的要求也越来越高，仅仅高显色指数的白光已经不能满足人们生活多样化的需求。全光谱白光LED具有较高的照明质量。现有全光谱白光LED主要通过多荧光粉混合、多LED灯珠混合、智能调光控制等方式实现，但这些方法存在混合光源发光面积大、二次配光设计困难、调光控制复杂等问题。

因此，设计一种针对小尺寸LED芯片涂覆荧光粉的方法，以形成全光谱白光LED芯片，这是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种全光谱白光微LED芯片的荧光粉涂覆方法，其能够实现对微LED芯片涂覆荧光粉胶层，解决现有涂覆方法难以实施的技术问题。

本发明还提供一种全光谱白光微LED芯片，其发光面积小、二次配光设计简单、色温可控以及光谱可调。

本发明提供的第一种技术方案：

一种全光谱白光微LED芯片的荧光粉涂覆方法，包括：

S1：在水平转盘上旋涂荧光粉胶层；

S2：在荧光粉胶层上依次旋涂第一胶体层和荧光粉胶层，如此循环，形成荧光粉胶叠加层，其中，荧光粉胶层的厚度等于微LED芯片的宽度，第一胶体层的厚度等于微LED芯片之间的间距；

S3：沿竖直方向垂直切割荧光粉胶叠加层，形成竖直片状的荧光粉薄膜，荧光粉薄膜包括层叠设置的第一胶体层和荧光粉胶层；

S4：将荧光粉薄膜旋转90°至水平放置；

S5：将荧光粉薄膜覆盖到微LED阵列的粘接层上，荧光粉胶层正对微LED芯片，第一胶体层正对微LED芯片之间的间隙。

进一步地，在S5中，微LED阵列包括多个条形的微LED芯片，多个条形的微LED芯片间隔平行排布；

在S3中，荧光粉薄膜中的第一胶体层和荧光粉胶层均为条形；第一胶体层、微荧光粉胶层以及LED芯片三者的长度相等。

进一步地，在S4与S5之间，还包括：

S41：将多个荧光粉薄膜拼接成一个薄膜整体，其中，相邻两个荧光粉薄膜之间采用第二胶体层粘接，薄膜整体中的荧光粉胶层为方形、且呈矩阵形式排布；

在S5中，微LED阵列包括多个方形的微LED芯片，多个方形的微LED芯片呈矩阵形式排布；荧光粉胶层的边长等于微LED芯片的边长。

进一步地，在S41与S5之间，还包括：

S42：将至少两个薄膜整体层叠设置，其中，相邻两个薄膜整体之间采用第三胶体层粘接，相邻两个薄膜整体中的荧光粉胶层相互正对。

进一步地，在S1之前，还包括：

S01：将单色荧光粉与硅胶混合均匀，并抽真空排除气泡，获得荧光粉胶。

进一步地，，在S1之前，还包括：

S02：在水平转盘上旋涂脱膜剂。

本发明提供的第二种技术方案：

一种全光谱白光微LED芯片包括：

微LED阵列，所述微LED阵列包括基体以及阵列在所述基体上的微LED芯片；

粘接层，所述粘接层覆盖在所述微LED芯片上；

荧光粉薄膜，所述荧光粉薄膜包括荧光粉胶层和第一胶体层，相邻两个所述荧光粉胶层之间采用所述第一胶体层隔离；所述荧光粉薄膜覆盖在所述粘接层上，所述荧光粉胶层正对所述微LED芯片，所述第一胶体层正对所述微LED芯片之间的间隙。

进一步地，所述微LED芯片为条形，多个所述微LED芯片间隔平行排布，所述第一胶体层和所述荧光粉胶层均为条形，所述微LED芯片、所述第一胶体层以及所述荧光粉胶层三者的长度相等。

进一步地，多个所述荧光粉薄膜拼接成一个薄膜整体，相邻两个所述荧光粉薄膜之间采用第二胶体层粘接，所述薄膜整体中的所述荧光粉胶层为方形、且呈矩阵形式排布；