[发明专利]一种原子气体腔室以及制备方法

权利要求书

1.一种原子气体腔室，其特征在于，包括：第一玻璃板、中间硅片层和第二玻璃板，对键合机的腔体内部抽真空，所述第一玻璃板、所述中间硅片层和所述第二玻璃板通过一次键合得到所述原子气体腔室，其中：

所述中间硅片层中包含通孔，所述第二玻璃板上包含凹槽，滴入含有反应化合物的混合溶液；

所述通孔的位置与所述凹槽的位置相对，凹槽位于通孔一侧，凹槽面积为通孔面积的1/4~1/2，凹槽深度为第二玻璃板厚度的1/3~1/2；

所述中间硅片层中的硅片为双抛硅片，厚度为200μm~1000μm；

所述第一玻璃板厚度为200μm~500μm；

所述第二玻璃板厚度为500μm~2000μm。

2.根据权利要求1所述的原子气体腔室，其特征在于，所述中间硅片层中包含通孔的数量根据所述原子气体腔室的直径大小确定。

3.一种原子气体腔室的制备方法，其特征在于，包括：

根据确定的原子气体腔室的直径，通过蚀刻或者激光打孔的方式，在中间硅片层上刻蚀出设定数量的通孔；

根据在所述中间硅片层上刻蚀的所述通孔的位置，采用刻蚀的方式，在第二玻璃板上刻蚀设定数量的凹槽；

凹槽位于通孔一侧，凹槽面积为通孔面积的1/4~1/2，凹槽深度为第二玻璃板厚度的1/3~1/2；

所述中间硅片层中的硅片为双抛硅片，厚度为200μm~1000μm；

利用移液器向所述第二玻璃板的所述凹槽中滴入混合溶液；

通过键合机的夹具将第一玻璃板、所述中间硅片层和所述第二玻璃板夹好，并置于所述键合机的腔体内部，对键合机的腔体内部抽真空，以键合得到原子气体腔室；

所述第一玻璃板厚度为200μm~500μm；

所述第二玻璃板厚度为500μm~2000μm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中包含氯化铷/氯化铯、叠氮化钡。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，置于所述键合机的腔体内部，对键合机的腔体内部抽真空，以键合得到原子气体腔室，包括：

对所述键合机的腔体内部抽真空；

在真空度达到设定度数的情况下，抽出所述夹具；

对第一玻璃板、所述中间硅片层和所述第二玻璃板进行封装，以键合得到原子气体腔室。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在封装过程中，第二玻璃板的温度小于第一玻璃板的温度，温度差为30℃~100℃。