[发明专利]一种氧化石墨烯‑陶瓷复合粉体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711134193.X 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107903073A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 李丽萍 申请(专利权)人: 郴州国盛新材科技有限公司
主分类号: C04B35/626 分类号: C04B35/626;C04B35/577;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 任重,单香杰
地址: 424200 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 石墨 陶瓷 复合 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种陶瓷复合材料,更具体地,涉及一种氧化石墨烯-陶瓷复合 粉体及其制备方法。

背景技术

陶瓷材料由于具有高强度、高硬度、良好的耐磨性、耐高温性能,受到了 人们的高度重视,广泛地运用于各个方面,但陶瓷材料的本征脆性大大制约了 陶瓷材料的进一步运用。围绕如何提高陶瓷材料的韧性,各国学者研究了多种 增韧机制,包括相变增韧、颗粒弥散增韧、晶须复合增韧以及连续纤维增韧等 方法。

氧化石墨烯是一种由碳原子sp2杂化轨道组成,六角形呈蜂巢晶格的二维材 料,具有高比表面积、高强度、高弹性模量、良好的热学和电学性能。作为材 料中的第二相时,加入极少量便可显著提高材料的电学、热学和力学性能。

FCC催化剂原料主要为粘土、分子筛,铝溶胶和硅溶胶等物质,其主要成 分为SiO2、Al2O3和少量碱金属元素,物质结构具有典型的硅铝酸盐结构,一般 经喷雾干燥成圆球状,具有较大的比表面积和孔体积,其组成结构与粘土、陶 瓷等物质类似,因此也有将其应用于生产陶瓷的报道。

常见的陶瓷基碳化,选用粘土、长石粉、硼玻璃等物质,加入磨料碳化硅 后混合均匀,成型,在1100~1250℃条件下加热。目前将废FCC催化剂制备氧 化石墨烯-陶瓷复合粉体暂未检索到,氧化石墨烯的价格昂贵,直接引入氧化石 墨烯会大大提高生产成本,使得氧化石墨烯-陶瓷复合粉体难以大规模生产,且 复合效果不理想。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足之处,提供一种利用废FCC催化剂 制备氧化石墨烯-陶瓷复合粉体,减少环境污染、降低企业成本,达到资源循环 利用的目的。且陶瓷粉和氧化石墨烯混合更加均匀,避免了氧化石墨烯的团聚, 而且降低了制作成本,工艺简单、操作方便、清洁高效、可运用于大规模生产。

本发明提供及一种氧化石墨烯-陶瓷复合粉体及其制备方法,本发明通过以 下技术方案予以实现:

氧化石墨烯-陶瓷复合粉体的制备方法包括如下步骤:

S1.用去离子水将氧化石墨烯润湿后,再加入去离子水进行稀释,第一次搅 拌,超声处理,得到氧化石墨烯悬浮液;

S2.氧化石墨烯的质量占陶瓷粉和氧化石墨烯总质量的1.0~2.0wt%;所述陶 瓷粉的质量占陶瓷粉和氧化石墨烯总质量的98~99wt%;

S3:将陶瓷粉迅速加入到氧化石墨烯悬浮液中,第二次搅拌,得到氧化石 墨烯与陶瓷粉的混合液;

S4:将氧化石墨烯与陶瓷粉的混合液进行抽滤,得到混合浆料,干燥,热 还原处理,得到所述氧化石墨烯-陶瓷复合粉体;

其中,所述陶瓷粉为碳化硅陶瓷由8~14份的废FCC催化剂,7~13份的硼 玻璃,3~7份的长石粉,2~6份的粘土,65~78份的碳化硅微粉混合制成。

本发明制备方法中,先用去离子水润湿氧化石墨烯,再用去离子水稀释为 氧化石墨烯悬浮液,氧化石墨烯的分散效果更佳;同时,为了确保陶瓷粉体之 间具有合理的间隙,使得液相介质在抽滤过程中被快速抽离,混粉过程中只进 行机械搅拌。工艺简单,效率高效。

进一步地,步骤S1所述润湿的时间为10~20min,所述超声处理的时间为 10~60min,超声功率为20~30KHz。

进一步地,所述第一搅拌的时间为10~25min,搅拌速度为600~800r/min。

进一步地,所述陶瓷粉的粒径为10~20μm。

进一步地,步骤S1中,所述氧化石墨烯悬浮液的浓度为0.10~0.30mg/mL。

进一步地,步骤S3中,所述第二搅拌的时间为10~25min,搅拌速度为 600~800r/min。

进一步地,步骤S2中,所述废FCC催化剂由40~50wt%的Al2O3,35~45wt% 的SiO2,5~10wt%的Na、Ca、Fe、Ti、Ni和V微量金属元素和1~5wt%的残余 碳物质组成;所述废FCC催化剂的粒径为40~100μm。

进一步地,所述长石粉为钾长石类,所述长石粉包括9~18.5wt%的K2O, 所述长石粉的粒径为75~100μm。

进一步地,步骤S4中,所述干燥采用真空干燥,干燥的温度为40~60℃, 干燥的压强为0~1atm,干燥的时间为5~10h。

进一步地,步骤S4中,所述热还原处理是在氩气气氛下进行;所述热还原 处理的温度为700~1000℃,时间为1~3h。

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