[发明专利]一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法

权利要求书

1.一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于步骤如下：

(1)、在N型硅外延片的抛光面上淀积氧化层，在淀积完氧化层的抛光面进行场环和基区接触区图形光刻，接着加工出场环和基区接触区注入窗口，注入场环和基区接触杂质，并进行推结，形成场环和基区接触区；

(2)、在淀积完氧化层的抛光面的场环区域内，进行三极管基区图光刻，接着加工出基区注入窗口，通过该窗口为基区注入基区杂质，并进行基区推结，制造三极管基区；

(3)、在三极管基区进行发射区图形光刻，接着加工出发射区注入窗口，通过该窗口进行发射区杂质注入，然后进行发射区一次推结，形成发射区；

(4)、将经过步骤(3)处理后的外延片抛光面上淀积电极隔离介质层；

(5)、将硅外延片的非抛光面进行一次减薄处理；

(6)、在减薄后的非抛光面溅射薄金，并进行金扩散，金扩散的同时完成发射区二次推结；

(7)、在对应于基区接触区和发射区的电极隔离介质层上形成基区和发射区金属电极；

(8)、在金属电极以及双层结构电极隔离介质层表面形成钝化膜，然后在对应于基区和发射区金属电极的钝化膜上加工出基区和发射区键合区域；

(9)、将硅外延片的非抛光面进行二次减薄处理；

(10)、在二次减薄后的非抛光面淀积金属，形成集电区金属电极，从而完成了纳秒级抗辐照高速开关双极晶体管的制造。

2.根据权利要求1所述的一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于所述步骤(1)中推结为高温推结，温度取值范围为：1100℃—1200℃。

3.根据权利要求1所述的一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于所述步骤(2)中的基区推结为高温推结，温度取值范围为：1050℃—1150℃。

4.根据权利要求1所述的一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于步骤(4)中所述电极隔离介质层为SiO2，淀积SiO2的方式为热氧化，其温度不高于基区推结温度。

5.根据权利要求1所述的一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于所述电极隔离介质层的厚度为

6.根据权利要求1所述的一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于所述钝化膜为SiO2、BPSG和Si3N4三层结构，首先淀积的第一层为SiO2，随后淀积的第二层为BPSG，最后淀积的第三层为Si3N4。

7.根据权利要求1所述的一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法，其特征在于：所述步骤(6)中减薄之后非抛光面溅射薄金厚度为进行金扩散的温度为975℃～1050℃，时间为20min～40min。