[发明专利]包括高电阻基板的半导体元件的制造方法

权利要求书

1.半导体元件的制造方法，该方法包括快速热处理的步骤，所述快速热处理的步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底(2)的基板(1)暴露至峰值温度，所述峰值温度能够使基底(2)的电阻率变差，所述方法的特征在于，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露至在800℃和1250℃之间的矫正温度，并具有下述冷却速率：

-当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，冷却速率小于5℃/秒，

-当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，冷却速率小于20℃/秒，以及

-当矫正温度在1100℃和800℃之间时，冷却速率小于50℃/秒。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，峰值温度在1050℃和1250℃之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，所述快速热处理和所述矫正热处理在快速热退火布局中原位实现。

4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正热处理在与用于应用快速热处理的布局不同的布局中实现。

5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正热处理在立式炉中实现。

6.根据权利要求4或5所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正温度保持为低于1050℃至少20秒。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其中，矫正温度保持为：

-低于或等于1000℃持续至少1分钟，或者

-低于或等于950℃持续至少5分钟，或者

-低于或等于900℃持续至少30分钟，或者

-低于或等于800℃持续至少3小时。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述矫正热处理在中性气氛、还原气氛或氧化气氛中实现。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述基板(1)还包括在所述基底(2)上的绝缘体层(4)和在所述绝缘体层(4)上的表面层(5)。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其中，所述基板(1)还包括在所述基底(2)和所述绝缘体层(4)之间的电荷捕获层(3)。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中，所述电荷捕获层(3)是多晶硅层。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述矫正热处理之前形成所述基板(1)的保护层。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述基底(2)由硅制成。

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述半导体元件是射频器件。

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述半导体元件是具有200mm或300mm的直径的绝缘体上的硅晶片。