[发明专利]半导体封装结构及半导体工艺

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包含：

第一衬底，其具有上表面及多个第一衬底上导电垫；

第二衬底，其具有下表面及多个第二衬底下导电垫，其中所述第一衬底的上表面面对所述第二衬底的下表面；

裸片，其电连接到所述第一衬底的上表面；

多个互连元件，其连接所述第一衬底上导电垫与所述第二衬底下导电垫；以及

包覆材料，其接触所述第一衬底的上表面与接触所述第二衬底的下表面，且包覆所述裸片及所述互连元件，其中在所述第二衬底压合到位于所述第一衬底上的所述包覆材料后，所述包覆材料由B阶固化成C阶，

其中所述第一衬底上表面部分覆盖第一介电层，第二衬底的下表面部分覆盖第二介电层，其中所述第一介电层与所述包覆材料的粘附力相同于所述第二介电层与所述包覆材料间的粘附力。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述包覆材料充满所述第一衬底的上表面与所述第二衬底的下表面之间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底进一步具有下表面及多个第一衬底下导电垫，所述第一衬底下导电垫显露于所述第一衬底下表面，且所述第一衬底上导电垫显露于所述第一衬底上表面；所述第二衬底进一步具有上表面及多个第二衬底上导电垫，所述第二衬底上导电垫显露于所述第二衬底上表面，且所述第二衬底下导电垫显露于所述第二衬底下表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中每一所述互连元件是由预焊料及焊料互融而成。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述互连元件与所述第一衬底上导电垫接触的区域具有第一宽度，所述互连元件与所述第二衬底下导电垫接触的区域具有第二宽度，每一所述互连元件具有内缩颈部，所述内缩颈部具有第三宽度，且所述互连元件具有最大宽度，其中所述最大宽度大于所述第一宽度、所述第二宽度及所述第三宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述包覆材料具有多个容纳槽以容纳所述互连元件，其中至少部分所述容纳槽的侧壁的形状与所述互连元件相对应，且至少部分所述互连元件的外表面接触所述容纳槽的侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述包覆材料为非导电膜NCF、非导电膏NCP或ABF。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述包覆材料具有多种填料，且所述填料均匀分布于所述包覆材料中。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述填料不位于所述互连元件内。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述包覆材料具有多种填料，且所述包覆材料包括区域A₁及区域A₂，其中所述区域A₁为所述包覆材料的最左侧边向右延伸默认距离，所述默认距离为所述包覆材料最大宽度的10％，且所述区域A₂为所述包覆材料的最右侧边向左延伸所述默认距离，其中位于所述区域A₁与所述区域A₂的填料的粒径分布及含量相同。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述包覆材料具有多种填料，且所述包覆材料于所述第二衬底与所述裸片之间的厚度小于或等于所述填料中的最大粒径大小。