[发明专利]包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件有效

专利信息
申请号: 201711002821.9 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN107978683B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 卡斯滕·洛特;多玛果伊·帕维奇科;杰罗姆·加尼耶;维金塔斯·扬库什;金亨宣;金炳求 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 吴润芝;郭国清
地址: 德国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 掺杂 电子 传输 基质 有机 半导体材料 以及 电子器件
【权利要求书】:

1.一种有机半导体材料,其包含至少一种电子传输基质和至少一种n型电掺杂剂,其中所述电子传输基质包含至少一种根据化学式Ia或Ib的第一基质化合物:

其中,在化学式Ia中,

Ar1选自C6至C12亚芳基和C1至C11亚杂芳基;并且

R1至R5独立地是取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团;

a至e独立地是0或1的整数并且4≤a+b+c+d+e≤5;

L是单键、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、或者取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团;

ET是未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基基团或者取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基基团,其中所述基团ET包括至少一个N,条件是所述基团ET不是咔唑基基团;

其中,在式(Ia)中,所述被取代的基团中,至少一个氢被以下代替

(i)氘,

(ii)卤素,

(iii)C2至C60叔氨基基团,其中所述C2至C60叔氨基基团的氮原子被两个独立选择的C1至C30烃基基团取代或形成C1至C30杂环基团,

(iv)C2至C60氧化膦基团,其中所述氧化膦基团的磷原子被两个独立地选自烃基、卤代烃基和烃氧基的C1至C30基团取代或所述氧化膦基团的磷原子形成C1至C30杂环基团,

(v)C1至C22甲硅烷基基团,

(vi)C1至C30烷基基团,

(vii)C1至C10烷基甲硅烷基基团,

(viii)C6至C22芳基甲硅烷基基团,

(ix)C3至C30环烷基基团,

(x)C2至C30杂环烷基基团,

(xi)C6至C30芳基基团,

(xii)C2至C30杂芳基基团,

(xiii)C1至C20烷氧基基团,

(xiv)C1至C30全氟烃基基团,

(xv)C1至C10三氟烷基基团,或

(xvi)氰基基团;

其中在化学式Ib中:

X1至X11独立地是N、C或CRa

Ra独立地是氢、氘、C1至C30烷基基团、C3至C30环烷基基团、C6至C30芳基基团、C6至C30二芳基胺基团、C1至C30烷氧基基团、C3至C21甲硅烷基基团、C3至C21甲硅烷氧基基团、C1至C30烷基硫醇基团、C6至C30芳基硫醇基团、卤素、C1至C30卤代烃基基团、氰基基团;

R1至R5独立地是取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团;

a至e独立地是0或1的整数并且4≤a+b+c+d+e≤5,

L是单键、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团,并且

ET是未取代的C6至C40芳基或C2至C40杂芳基基团,或者取代的C6至C40芳基或C2至C40杂芳基基团,其中所述基团ET包括至少一个N,条件是所述基团ET不是咔唑基基团;

其中,在式(Ib)中,所述被取代的基团中,至少一个氢被以下代替

(i)氘,

(ii)卤素,

(iii)C1至C60叔氨基基团,其中所述C1至C60叔氨基基团的氮原子被两个独立选择的C1至C30烃基基团取代或形成C1至C30杂环基团,

(iv)C2至C60氧化膦基团,其中所述氧化膦基团的磷原子被两个独立地选自烃基、卤代烃基和烃氧基的C1至C30基团取代或所述氧化膦基团的磷原子形成C1至C30杂环基团,

(v)C1至C22甲硅烷基基团,

(vi)C1至C30烷基基团,

(vii)C1至C10烷基甲硅烷基基团,

(viii)C6至C22芳基甲硅烷基基团,

(ix)C3至C30环烷基基团,

(x)C2至C30杂环烷基基团,

(xi)C6至C30芳基基团,

(xii)C2至C30杂芳基基团,

(xiii)C1至C20烷氧基基团,

(xiv)C1至C30全氟烃基基团,

(xv)C1至C10三氟烷基基团,或

(xvi)氰基基团。

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