[发明专利]发光装置在审
| 申请号: | 201710997464.8 | 申请日: | 2014-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN107768408A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;平形吉晴;青山智哉;千田章裕 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H04B1/3888;H04M1/02;G06F3/041 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 金红莲 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
包括上表面一侧、与所述上表面一侧相反的下表面一侧以及向所述上表面一侧发光的发光元件的元件层;以及
面对所述元件层的所述上表面一侧且贴合到所述元件层的衬底,
其中,所述衬底具有透光性及比大气高的折射率,
并且,所述衬底的端部向元件层一侧弯曲。
2.一种发光装置,包括:
包括上表面一侧、与所述上表面一侧相反的下表面一侧以及向所述上表面一侧发光的发光元件的元件层;以及
面对所述元件层的所述上表面一侧且贴合到所述元件层的衬底,
其中,所述衬底具有透光性及比大气高的折射率,
所述衬底的端部与所述元件层的端部重叠,
并且,所述衬底的所述端部以及所述元件层的所述端部向所述元件层的所述下表面一侧弯曲。
3.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
所述元件层与所述衬底之间的包括树脂以及粒子的粘合层,
其中所述粒子具有不同于所述树脂的折射率。
4.根据权利要求2所述的发光装置,还包括:
所述元件层与所述衬底之间的包括树脂以及粒子的粘合层,
其中所述粒子具有不同于所述树脂的折射率。
5.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
覆盖所述元件层的所述下表面一侧以及所述衬底的侧面的绝缘体。
6.根据权利要求2所述的发光装置,还包括:
覆盖所述元件层的所述下表面一侧、所述元件层的侧面以及所述衬底的侧面的绝缘体。
7.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
覆盖所述元件层的所述下表面一侧以及所述衬底的上表面一侧的绝缘体。
8.根据权利要求2所述的发光装置,还包括:
覆盖所述元件层的所述下表面一侧以及所述衬底的上表面一侧的绝缘体。
9.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
配置于所述元件层的所述下表面一侧的蓄电装置。
10.根据权利要求2所述的发光装置,还包括:
配置于所述元件层的所述下表面一侧的蓄电装置。
11.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
配置于所述元件层的所述下表面一侧的蓄电装置;以及
覆盖所述蓄电装置的保护层。
12.根据权利要求2所述的发光装置,还包括:
配置于所述元件层的所述下表面一侧的蓄电装置;以及
覆盖所述蓄电装置的保护层。
13.根据权利要求11所述的发光装置,
其中所述保护层覆盖所述衬底的向所述元件层一侧弯曲的部分。
14.根据权利要求12所述的发光装置,
其中所述保护层覆盖所述衬底的向所述元件层一侧弯曲的部分。
15.根据权利要求11所述的发光装置,
其中所述保护层以不夹着所述衬底的任何部分的方式与所述元件层重叠。
16.根据权利要求12所述的发光装置,
其中所述保护层以不夹着所述衬底的任何部分的方式与所述元件层重叠。
17.根据权利要求1所述的发光装置,
其中光提取部的一部分弯曲。
18.根据权利要求2所述的发光装置,
其中光提取部的一部分弯曲。
19.根据权利要求1所述的发光装置,
其中所述衬底以所述衬底的第一区域面对所述衬底的第二区域的方式弯曲。
20.根据权利要求2所述的发光装置,
其中所述元件层以所述元件层的第一区域面对所述元件层的第二区域的方式弯曲。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710997464.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有阻挡装置的显示面板
- 下一篇:一种环境污染监测系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





