[发明专利]检测电路

权利要求书

1.一种检测电路，其特征在于，包括：

分压电阻，与三相电相连接；

三相整流桥结构，输入端与所述分压电阻相连接，用于整流；

光耦，连接在所述三相整流桥的输出端；

上拉电阻，连接在所述光耦中光敏三极管的集电极；

MCU检测IO口，连接在所述光耦的输出端，用于在所述光耦导通或者关断的状态下输出高电平或者低电平，

其中，在所述MCU检测IO口为低电平时，确定所述三相电不缺相。

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，

在所述三相电缺任意一相时，所述光耦不断导通和关断，所述MCU检测IO口为脉冲式高低电平；

在所述三相电缺两相时，所述MCU检测IO口为恒定高电平；

在所述三相电三相全缺相时，所述MCU检测IO口为恒定高电平。

3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括：

前端电容，与所述光耦中的发光二极管并联，用于对所述光耦进行前端滤波，并且稳住所述发光二极管两端的电压。

4.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括：

滤波电容，连接在所述光耦的输出端，用于滤除波纹和/或噪音。

5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述滤波电容包括并联的第一电容和第二电容，所述第一电容的一端连接在所述光耦中光敏三极管的集电极，所述第一电容的另外一端连接在所述光耦中光敏三极管的发射极，所述第一电容和所述第二电容的电容值不同。

6.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述分压电阻包括第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻，所述第一分压电阻连接U相电，所述第二分压电阻连接V相电，所述第三分压电阻连接W相电，其中，所述第一分压电阻、所述第二分压电阻和所述第三分压电阻的阻值相同。

7.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括：

直流电压源，与所述上拉电阻相连接，其中，所述上拉电阻的阻值与所述直流电压源的电压值相匹配。

8.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括限流电阻，所述限流电阻连接在所述光耦中发光二极管的正极。

9.根据权利要求8所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括稳压管，用于稳住所述光耦两端的压差。

10.根据权利要求9所述的检测电路，其特征在于，任意一个所述分压电阻满足以下条件：

(R4+光耦内阻+稳压管内阻)/(R4+光耦内阻+稳压管内阻+R1)＝UR1+光耦压降+稳压管压降，其中,R4为所述限流电阻的电阻值，R1为任意一个所述分压电阻的电阻值，UR1为任意一个所述分压电阻两端的电压。

11.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述三相整流桥结构包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，其中，

所述二极管D1和所述二极管D4串联，并且所述二极管D1和所述二极管D4的连接点连接U相电，

所述二极管D2和所述二极管D5串联，并且所述二极管D2和所述二极管D5的连接点连接V相电，

所述二极管D3和所述二极管D6串联，并且所述二极管D3和所述二极管D6的连接点连接W相电，

所述二极管D1的负极连接所述二极管D2的负极，并且连接所述二极管D3的负极，所述二极管D1的正极连接所述二极管D4的负极，所述二极管D2的正极连接所述二极管D5的负极，所述二极管D3的正极连接所述二极管D6的负极，所述二极管D4的正级连接所述二极管D5的正极，并且连接所述二极管D6的正极。