[发明专利]制造氮化镓衬底的方法

权利要求书

1.一种制造氮化镓衬底的方法，所述方法包括：

在硅衬底的第一表面上形成覆盖层；

在所述硅衬底的第二表面上形成缓冲层，所述第二表面与所述第一表面相对；

通过执行氢化物气相外延工艺，在所述缓冲层上形成氮化镓衬底；以及

移除所述覆盖层和所述硅衬底，

其中，所述覆盖层完全覆盖所述硅衬底的第一表面，以使得在形成所述氮化镓衬底期间暴露所述覆盖层的表面而不暴露所述硅衬底的第一表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述覆盖层的步骤通过基于氯的蚀刻气体来移除所述覆盖层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤形成钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钼(Mo)、锰(Mn)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铬(Cr)、镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)以及它们的氮化物中的至少一种的覆盖层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤通过原子层沉积工艺、溅射工艺或化学气相沉积工艺来形成所述覆盖层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述氮化镓衬底的步骤通过在950℃至1200℃的温度下执行氢化物气相外延工艺来形成所述氮化镓衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述覆盖层和所述硅衬底的步骤通过利用基于氯的蚀刻气体的相同干法蚀刻工艺来移除所述覆盖层和所述硅衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述基于氯的蚀刻气体包括HCl或Cl₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述覆盖层和所述硅衬底的步骤在形成所述氮化镓衬底的氢化物气相外延反应器中移除所述覆盖层和所述硅衬底。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述缓冲层的步骤以AlN、TaN、TiN、HfN、GaN和AlGaN中的至少一种来形成所述缓冲层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述缓冲层的步骤通过金属有机化学气相沉积工艺或氢化物气相外延工艺而形成。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成缓冲层之后，形成围绕着所述缓冲层的边缘表面的绝缘图案。

12.一种制造氮化镓衬底的方法，所述方法包括：

在硅衬底的第一表面上形成覆盖层；

在所述硅衬底的第二表面上形成氮化镓衬底，所述第二表面与所述第一表面相对；以及

干法蚀刻所述覆盖层和所述硅衬底，

其中，所述覆盖层完全覆盖所述硅衬底的第一表面，以使得在形成所述氮化镓衬底期间暴露所述覆盖层的表面而不暴露所述硅衬底的第一表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤以钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钼(Mo)、锰(Mn)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铬(Cr)、镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)以及它们的氮化物中的至少一种来形成所述覆盖层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中移除所述覆盖层和所述硅衬底的步骤在形成所述氮化镓衬底的氢化物气相外延反应器中移除所述覆盖层和所述硅衬底。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在形成覆盖层之后或之前，在所述硅衬底的第二表面上形成缓冲层。