[发明专利]一种富缺陷Fe有效
| 申请号： | 201710980368.2 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107803212B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 范修军;王娟娟;张献明 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | B01J27/128 | 分类号： | B01J27/128;B01J35/02;B01J35/10;B01J37/26;B01J37/34;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 14105 山西五维专利事务所(有限公司) | 代理人： | 雷立康 |
| 地址： | 030006*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 fe2o3 fef2 纳米 多孔 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜，其特征在于:所述富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜以铁箔为基底，先通过阳极氧化生长Fe2O3，再经CVD氟化反应将Fe2O3转化为生长在Fe2O3上的FeF2，且所述富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜的孔径为40～50nm。
2.权利要求1所述富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将铁箔依次放入异丙醇、丙酮中进行超声清洗，并在氮气下吹干；
(2)阳极氧化：将步骤(1)吹干后的铁箔作为阳极，另取一铂片作对电极，以含0.05-0.15M NH4F、0.9-1.1M去离子水的乙二醇溶液作为电解液，组成两电极体系，在恒定电压35-45V下，进行阳极氧化处理30-50min，得到Fe2O3多孔薄膜；
(3)CVD氟化反应：在氩气流量75-125sccm、气压375-450mTorr、CVD炉温为350-400℃的条件下，将步骤(2)制备的Fe2O3多孔薄膜放在石英管的中央，NH4F粉放在石英管距离Fe2O3多孔薄膜10-15cm的位置，进行氟化反应，反应时间15-90min，然后在保持氩气气氛下，自然冷却到室温，得到Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜。
3.根据权利要求2所述的富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜的制备方法，其特征在于：所述电解液中NH4F的含量为0.1M，去离子水的含量为1.0M。
4.根据权利要求2所述的富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中氟化反应时间为30min。
5.根据权利要求2所述的富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中氟化反应时间为45min。
6.权利要求1所述的一种富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜作为电催化剂在电催化析氢反应和电催化析氧反应中的应用。
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