[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：

重分布层接触垫；以及

钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口中露出；

其中，于平面视图中，该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层接触垫的边界上的第三位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离等于该重分布层接触垫的边界上的第四位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一位置与该第三位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第一直线上。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二位置与该第四位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第二直线上。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，沿该第一直线的该第一位置与该第三位置之间的距离不同于沿该第二直线的该第二位置与该第四位置之间的距离。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在平面视图中，该开口具有第一形状，以及该重分布层接触垫具有第二形状，其中该第一形状不同于该第二形状。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状为非圆形的形状。

8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状具有旋转对称性。

9.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状包括：花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该钝化层具有与该重分布层接触垫重叠的重叠区，其中该重叠区的内边界的形状不同于该重叠区的外边界的形状。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层接触垫的边界围绕该开口。

12.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

半导体晶粒，设置在该重分布层结构的第一表面上并且电性耦接至该重分布层结构；

模塑料，围绕该半导体晶粒并且接触该半导体晶粒以及该重分布层结构的该第一表面；以及

导电结构，设置在该重分布层结构的第二表面上，并且接触和电性耦接至该重分布层接触垫，其中该第一表面和该第二表面互为相反面。

13.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：

重分布层接触垫；以及

钝化层，设置在该重分布层接触垫上，其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口，使得该重分布层接触垫从该开口露出；

其中，于平面视图中，该开口具有第一形状且该重分布层接触垫具有第二形状，其中该第一形状不同于该第二形状。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状为非圆形的形状。

15.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状具有旋转对称性。

16.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一形状包括：花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。