[发明专利]PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法。

背景技术

PERC技术，即钝化发射极背面接触，通过在太阳能电池背面形成钝化层，可大幅降低背表面电学复合速率，形成良好的内部光学背反射机制，提升电池的开路电压、短路电流，从而提升电池的转换效率。

PERC太阳能电池具有工艺简单，成本较低，且与现有电池生产线兼容性高的优点，是新开发出来的一种高效太阳能电池，得到了业界的广泛关注，有望成为未来高效太阳能电池的主流方向。

常规硅太阳能电池的生产，PERC硅太阳能电池生产步骤如下：1、提供一P 型硅基板，首先进行清洗；2、在P型硅基板上采用三氯氧化磷(POCl3)液态源扩散法来形成反向导电型的N型扩散层(N型发射极)；3、在形成扩散层之后，用氢氟酸进行蚀刻，去除扩散产生的硅片截面边缘的PN结；4、在正面N型扩散层上淀积SiNx，形成介电层，在背面淀积AlOx/SiNx，形成钝化层；5、在 PERC硅太阳能电池背面上的钝化层进行激光开窗；6、在电池正面上的介电层上进行丝网印刷，并干燥正面银浆，形成正面电极，在P型基板背面穿孔的钝化层上进行丝网印刷，并干燥背面银浆，形成背面电极；7、共烧，使电极充分干燥，同时形成良好电接触。

目前，PERC技术上背面氮化硅目前主要采用单层膜技术，背面反射率正常只能做到35％左右。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：为了能够提高背面反射率，本发明提供一种 PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法，对电池硅片的背面依次进行制绒、扩散、洗磷、背钝化沉积、退火、电池背面镀氮化硅膜、电池正面镀氮化硅、激光和印刷烧结，电池背面镀氮化硅膜采用双层或多层氮化硅镀膜，且内层的折射率低于外层的折射率，n 值表示折射率。

进一步具体地，所述电池背面镀氮化硅膜采用双层氮化硅镀膜，第二层氮化硅膜的n值大于第一层氮化硅膜的n值。

所述电池背面镀氮化硅膜采用多层氮化硅镀膜，第一层氮化硅膜厚度为 50～100nm，n值为2.0～2.03，采用SiH₄400～800sccm，NH₃6000～10000sccm，压力 1700mtorr，射频功率5000～9000瓦。

第二层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.20～2.30，采用SiH₄ 800～1200sccm，NH₃3000～6000sccm，压力1700mtorr，射频功率5000～9000瓦。

第三层氮化硅膜的n值大于第二层氮化硅膜的n值，依次类推。

本发明的有益效果是，本发明的PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法，采用背面氮化硅多层膜形式，增加背面光的反射率，有效提升了光的吸收，对短路电流有明显的增益，提高了电池片的效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明反射率曲线的对比示意图。

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

如图1所示，是本发明实施例一，一种PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法，对电池硅片的背面依次进行制绒、扩散、洗磷、背钝化沉积、退火、电池背面镀氮化硅膜、电池正面镀氮化硅、激光和印刷烧结，电池背面镀氮化硅膜采用双层氮化硅镀膜，第二层氮化硅膜的n值大于第一层氮化硅膜的n值。

具体双层膜如下：

第一层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.0～2.03，采用SiH₄400～800sccm (立方厘米/分钟)，NH₃6000～10000sccm(立方厘米/分钟)，压力1700mtorr(毫托)，射频功率5000～9000瓦。

第二层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.20～2.30，采用SiH₄ 800～1200sccm，NH₃3000～6000sccm，压力1700mtorr(毫托)，射频功率5000～9000 瓦。

本实施例与现有技术单层膜对比的技术效果