[发明专利]PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710970288.9 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107731960A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 朱露;孙铁囤;姚伟忠 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 朱丽莎 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | perc 电池 背面 氮化 多层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法，对电池硅片的背面依次进行制绒、扩散、洗磷、背钝化沉积、退火、电池背面镀氮化硅膜、电池正面镀氮化硅、激光和印刷烧结，其特征在于：电池背面镀氮化硅膜采用双层或多层氮化硅镀膜，且内层的折射率低于外层的折射率，n值表示折射率。
2.如权利要求1所述的PERC电池背面氮化硅多层膜的制备，其特征在于：所述电池背面镀氮化硅膜采用双层氮化硅镀膜，第二层氮化硅膜的n值大于第一层氮化硅膜的n值。
3.如权利要求1所述的PERC电池背面氮化硅多层膜的制备，其特征在于：所述电池背面镀氮化硅膜采用多层氮化硅镀膜，第一层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.0～2.03，采用SiH4400～800sccm，NH36000～10000sccm，压力1700mtorr，射频功率5000～9000W。
第二层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.20～2.30，采用SiH4 800～1200sccm，NH33000～6000sccm，压力1700mtorr，射频功率5000～9000W。
第三层氮化硅膜的n值大于第二层氮化硅膜的n值，依次类推。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
