[发明专利]探测单元及其制作方法、平板探测器有效
| 申请号: | 201710967141.4 | 申请日: | 2017-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN109671729B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 侯学成;田鹏程;车春城;林家强;李鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 探测 单元 及其 制作方法 平板 探测器 | ||
一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元包括:衬底基板;位于衬底基板上的第一电极;位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管;位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极,并且,光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内,在平行于衬底基板的平面上,透明电极位于光电二极管的中部,且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。该探测单元可有效减小光电二极管的暗态漏电流以提升该探测单元的光电特性。
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种探测单元及其制作方法、平板探测器。
背景技术
X射线检测广泛应用于现代医疗影像检测中,目前最先进的直接数字化X射线摄影(Digital Radiography,DR)是在具有图像处理功能的计算机控制下,采用一维或者二维的X射线探测器直接把X射线信息转化为数字图像信息的技术。当前DR设备主要采用的二维平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector,FPXD)包括直接式平板探测器和间接式平板探测器。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元可有效减小光电二极管的暗态漏电流,从而提升探测单元以及包括该探测单元的平板探测器的光电特性。
本公开的至少一实施例提供一种探测单元,包括:衬底基板;位于衬底基板上的第一电极;位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管;位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极,并且,光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内,在平行于衬底基板的平面上,透明电极位于光电二极管的中部,且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
例如,光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内。
例如,探测单元还包括:位于透明电极远离光电二极管一侧的偏置信号线,偏置信号线与透明电极电连接,并且,第二电极与偏置信号线电连接。
例如,探测单元还包括:位于偏置信号线与透明电极之间的绝缘层,绝缘层包括过孔,偏置信号线通过过孔与透明电极电连接。
例如,第二电极位于绝缘层远离透明电极的一侧。
例如,第二电极与偏置信号线位于同一层且两者的材料相同。
例如,第二电极的材料包括遮光材料。
例如,透明电极在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影没有交叠。
例如,探测单元还包括:薄膜晶体管,包括源极和漏极,并且,源极和漏极之一为第一电极。
例如,光电二极管为PIN型光电二极管。
本公开的至少一实施例提供一种探测单元的制作方法,包括:在衬底基板上形成第一电极;在第一电极远离衬底基板的一侧形成光电二极管;在光电二极管远离第一电极的一侧形成透明电极和与透明电极电连接的第二电极,并且,光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内,在平行于衬底基板的平面上,透明电极位于光电二极管的中部,且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
例如,探测单元的制作方法还包括:在透明电极远离光电二极管的一侧形成绝缘层;对绝缘层图案化以形成过孔;在绝缘层远离透明电极的一侧形成导电层,导电层通过过孔与透明电极电连接;对导电层图案化以形成偏置信号线和第二电极。
例如,形成第二电极包括:在光电二极管未被透明电极覆盖的部分远离衬底基板的一侧形成第二电极,以使光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





