[发明专利]探测单元及其制作方法、平板探测器

权利要求书

1.一种探测单元，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的第一电极；

位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的光电二极管；

位于所述光电二极管远离所述第一电极一侧的透明电极和与所述透明电极电连接的第二电极，

其中，所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一电极在所述衬底基板的正投影内，在平行于所述衬底基板的平面上，所述透明电极位于所述光电二极管的中部，且所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内，

所述探测单元还包括位于所述透明电极远离所述光电二极管一侧的偏置信号线，所述偏置信号线与所述透明电极电连接，所述第二电极与所述偏置信号线电连接。

2.根据权利要求1所述的探测单元，还包括：

位于所述偏置信号线与所述透明电极之间的绝缘层，所述绝缘层包括过孔，所述偏置信号线通过所述过孔与所述透明电极电连接。

3.根据权利要求2所述的探测单元，其中，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述透明电极的一侧。

4.根据权利要求3所述的探测单元，其中，所述第二电极与所述偏置信号线位于同一层且两者的材料相同。

5.根据权利要求1-4任一项所述的探测单元，其中，所述第二电极的材料包括遮光材料。

6.根据权利要求5所述的探测单元，其中，所述透明电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影没有交叠。

7.根据权利要求1所述的探测单元，还包括：

薄膜晶体管，包括源极和漏极，

其中，所述源极和所述漏极之一为所述第一电极。

8.根据权利要求1所述的探测单元，其中，所述光电二极管为PIN型光电二极管。

9.一种平板探测器，包括多个如权利要求1-8任一项所述的探测单元，多个所述探测单元阵列排布。

10.根据权利要求9所述的平板探测器，其中，所述平板探测器为间接式平板探测器。

11.一种探测单元的制作方法，包括：

在衬底基板上形成第一电极；

在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成光电二极管；

在所述光电二极管远离所述第一电极的一侧形成透明电极和与所述透明电极电连接的第二电极和偏置信号线，所述偏置信号线位于所述透明电极远离所述光电二极管一侧，所述偏置信号线与所述透明电极电连接，所述第二电极与所述偏置信号线电连接，

其中，所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一电极在所述衬底基板的正投影内，在平行于所述衬底基板的平面上，所述透明电极位于所述光电二极管的中部，且所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内。

12.根据权利要求11所述的探测单元的制作方法，还包括：

在所述透明电极远离所述光电二极管的一侧形成绝缘层；

对所述绝缘层图案化以形成过孔；

在所述绝缘层远离所述透明电极的一侧形成导电层，所述导电层通过所述过孔与所述透明电极电连接；

对所述导电层图案化以形成偏置信号线和所述第二电极。

13.根据权利要求11所述的探测单元的制作方法，其中，形成所述第二电极包括：

在所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，以使所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内。

14.根据权利要求11-13任一项所述的探测单元的制作方法，其中，所述第二电极的材料包括遮光材料。