[发明专利]一种KIT‑6介孔氧化硅材料及合成方法在审
| 申请号: | 201710962033.8 | 申请日: | 2017-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN107720761A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
| 发明(设计)人: | 阎立飞;张国强;郑华艳;李忠 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
| 主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12;B01J29/03;B01J35/10 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 kit 氧化 材料 合成 方法 | ||
1.一种KIT-6介孔氧化硅材料,其特征在于KIT-6介孔氧化硅材料,其比表面积为897.2-1061.0 m2/g,孔容为2.17-3.64 cm3/g,孔径为6.35-10.66nm。
2.如权利要求1所述的一种KIT-6介孔氧化硅材料合成方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)将嵌段共聚物P123溶解于HCl的水溶液中,待P123完全溶解后,向溶液中加入正丁醇,恒温35-45℃,持续搅拌1-3h;
(2)用去离子水将水玻璃稀释;
(3)将步骤(1)和步骤(2)的两种溶液迅速倒入反应器中,在12000-20000rpm的转速下高速搅拌1-5分钟后,在35-45℃,转速为150-300rpm下持续搅拌22-24h;
(4)将混合物移至带有不锈钢套管的晶化釜中,于80-120℃下晶化20-30h;
(5)将晶化后的样品经过滤、洗涤、烘干,并在550-650℃下焙烧6-10h脱除模板剂,得到KIT-6介孔氧化硅材料;
其合成物料摩尔比为:
0.014-0.020P123:1-1.43Na2SiO3:2.2 HCl:180-200H2O:1.24-1.77正丁醇。
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