[发明专利]三维存储器阵列架构

说明书

本发明提供三维存储器阵列架构及其形成方法。实例三维存储器阵列可包含：堆叠，其包括通过至少绝缘材料而彼此分离的多个第一导电线；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线延伸，使得所述至少一个导电延伸部与所述多个第一导电线中的至少一者的一部分相交。围绕所述至少一个导电延伸部形成存储元件材料。围绕所述至少一个导电部延伸形成单元选择材料。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2013年08月30日、申请号为201380049045.1、发明名称为“三维存储器阵列架构”的发明专利申请案。

相关申请案

本发明涉及与此一起申请的标题为“三维存储器阵列架构(THREE DIMENSIONALMEMORY ARRAY ARCHITECTURE)”的具有代理人档案号码1001.0690001的美国专利申请案13/600,777，且所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置，且更特定来说涉及三维存储器阵列架构及其形成方法。

背景技术

通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻可变存储器及快闪存储器等。电阻可变存储器的类型包含相变材料(PCM)存储器、可编程导体存储器及电阻性随机存取存储器(RRAM)等。

对于需要高存储器密度、高可靠性及无电力的数据保留的广泛范围的电子应用来说，存储器装置用作非易失性存储器。非易失性存储器可用于(例如)个人计算机、便携式记忆棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝式电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器、电影播放器及其它电子装置中。

关于存储器装置制造的不断挑战为减小存储器装置的大小、增大存储器装置的存储密度及/或限制存储器装置成本。一些存储器装置包含布置成二维阵列的存储器单元，其中存储器单元皆布置于相同平面中。相比之下，各种存储器装置包含布置成具有多个存储器单元层级的三维(3D)阵列的存储器单元。

发明内容

本申请的一个方面涉及一种存储器阵列，其包括：堆叠，其包括在多个层级处的多个第一导电线，其中所述多个第一导电线通过绝缘材料和存储元件材料而彼此分离；以及形成于贯穿所述堆叠的通孔中的导电延伸部；其中在所述多个层级的每一层级处：对应于所述层级的所述存储元件材料延伸至所述通孔的侧壁；且对应于所述层级的导电线的导电材料相对于所述通孔的所述侧壁凹入，由此所述存储元件材料相对于对应于所述层级的所述导电线形成突出部。

本申请的另一方面涉及一种形成存储器阵列的方法，所述方法包括：形成堆叠，所述堆叠包括在多个层级处的多个第一导电线，其中所述多个第一导电线通过绝缘材料和存储元件材料而彼此分离；形成贯穿所述堆叠的多个通孔；对于所述多个层级的每一层级，使相应的导电线的导电材料相对于所述通孔的侧壁凹入，由此所述存储元件材料相对于对应于所述层级的所述导电线形成突出部，所述存储元件材料延伸至所述通孔的所述侧壁。

附图说明

图1说明现有技术二维存储器阵列。

图2说明现有技术三维存储器阵列。

图3说明根据本发明的若干实施例的三维存储器阵列。

图4说明根据本发明的若干实施例的用于偏置三维存储器阵列的方法。

图5说明根据本发明的若干实施例的定位于多个导电线内的同心存储器单元。

图6A说明根据本发明的若干实施例的在导电线格栅内的同心存储器单元的位置。