[发明专利]三维存储器阵列架构

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包括：

堆叠，其包括在多个层级处的多个第一导电线，其中所述多个第一导电线通过绝缘材料和存储元件材料而彼此分离，其中所述存储元件材料形成为所述堆叠的一部分；以及形成于贯穿所述堆叠的通孔中的导电延伸部，在所述多个层级的每一层级处形成贯穿所述第一导电线、所述绝缘材料和所述存储元件材料的所述通孔；

其中在所述多个层级的每一层级处：

对应于所述层级的所述存储元件材料延伸至所述通孔的侧壁；且

对应于所述层级的导电线的导电材料相对于所述通孔的所述侧壁凹入，由此所述存储元件材料相对于对应于所述层级的所述导电线形成突出部。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储元件材料包括硫属化物材料。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述导电延伸部垂直于所述多个第一导电线而延伸至与所述多个第一导电线垂直的多个第二导电线。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述导电延伸部作为所述多个第二导电线的延伸部电连接至所述多个第二导电线。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中在所述多个层级的每一层级处，所述存储元件材料与对应于所述层级的所述多个第一导电线的一导电线直接接触。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其进一步包括形成于所述通孔内所述导电延伸部与所述存储元件材料之间的单元选择材料。

7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述存储元件材料包括第一硫属化物材料且其中所述单元选择材料包括第二硫属化物材料。

8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料包括第一绝缘材料，且其中在所述多个层级的每一层级处，第二绝缘材料形成于导电线材料的凹入区域中。

9.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中在所述多个层级的每一层级处，对应于所述层级的所述多个第一导电线的一导电线包括其间夹置有所述存储元件材料的第一层导电材料和第二层导电材料。

10.一种形成存储器阵列的方法，所述方法包括：

形成堆叠，所述堆叠包括在多个层级处的多个第一导电线，其中所述多个第一导电线通过绝缘材料和存储元件材料而彼此分离，其中在形成贯穿所述堆叠的多个通孔之前将所述存储元件材料形成为所述堆叠的一层；

形成贯穿所述堆叠的所述多个通孔；

对于所述多个层级的每一层级，使相应的导电线的导电材料相对于所述通孔的侧壁凹入，由此所述存储元件材料相对于对应于所述层级的所述导电线形成突出部，所述存储元件材料延伸至所述通孔的所述侧壁。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述堆叠进一步包括平坦地沉积所述存储元件材料以作为一材料层，其中所述存储元件材料与所述多个第一导电线的相应导电线的导电材料直接接触。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

在所述多个通孔内形成相应的导电延伸部；以及

在所述多个通孔内所述导电延伸部与所述存储元件材料之间形成单元选择材料；

其中所述存储元件材料和所述单元选择材料的至少一者为硫属化物材料。