[发明专利]形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法

说明书

公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

对相关申请的交叉引用

将2016年10月12日在韩国知识产权局提交并且题为“形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2016-0131908全部引入本文中作为参考。

技术领域

实例实施方式涉及形成硅层的方法、形成图案的方法、和使用其制造半导体器件的方法。

背景技术

含碳层例如无定形碳层(ACL)、旋涂(spin-on)硬掩模(SOH)等可用于形成半导体器件中的精细图案例如栅电极、布线、接触、绝缘图案等。可在含碳层上形成另外的掩模层以增强其蚀刻选择性。

发明内容

根据实例实施方式，形成图案的方法包括：在基底上形成蚀刻对象(目标)层；在蚀刻对象层上形成牺牲图案，牺牲图案包括含碳材料；将硅-硫化合物或者含硫气体提供到牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

根据实例实施方式，提供形成图案的方法。在所述方法中，可在基底上形成蚀刻对象层。可在蚀刻对象层上形成第一掩模。可将含硫化合物提供到第一掩模上以形成晶种层。可将硅前体提供到晶种层上以分别在第一掩模的侧壁上形成牺牲间隔体。可在牺牲间隔体之间形成第二掩模。可将牺牲间隔体除去。可使用第一和第二掩模将蚀刻对象层部分地蚀刻。

根据实例实施方式，提供形成图案的方法。在所述方法中，可在基底上形成蚀刻对象层。可在蚀刻对象层上形成第一掩模层。可将包括含硫化合物的气体提供到第一掩模层上以形成晶种层。可在晶种层上提供第二掩模层。可将第二掩模层图案化以形成第二掩模图案。

根据实例实施方式，制造半导体器件的方法包括：在基底上形成隔离层以限定活性图案；在活性图案和隔离层上形成第一牺牲图案，第一牺牲图案包括含碳材料；将硅-硫化合物或含硫气体提供到第一牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到晶种层上以分别在第一牺牲图案的侧壁上形成含硅的第一掩模图案；使用第一掩模图案将活性图案和隔离层部分地蚀刻以形成栅沟槽；和分别在栅沟槽中形成栅结构。

根据实例实施方式，形成硅层的方法包括将硅-硫化合物或者含硫气体提供到含碳材料层上以形成晶种层，和将硅前体提供到晶种层上以形成硅层。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明晰，其中：

图1、2、3A和3B说明根据实例实施方式的形成硅层的方法的横截面图；

图4-8说明根据实例实施方式的形成图案的方法的阶段的横截面图；

图9-16说明根据实例实施方式的形成图案的方法的横截面图；

图17-21说明根据实例实施方式的形成图案的方法的阶段的横截面图；

图22-31说明根据实例实施方式的形成图案的方法的阶段的俯视图和横截面图；和

图32-41说明根据实例实施方式的形成图案的方法的阶段的俯视图和横截面图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述实例实施方式；然而，它们可以不同的形式体现并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是彻底和完整的，并且将示例性实施充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了说明的清楚，可放大层和区域的尺寸。相同的附图标记始终是指相同的元件。