[发明专利]形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法

权利要求书

1.形成图案的方法，所述方法包括：

在基底上形成蚀刻对象层；

在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；

将硅-硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；

将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和

使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

2.如权利要求1中所述的方法，其中使所述硅-硫化合物或含硫气体与所述含碳材料的暴露表面反应。

3.如权利要求2中所述的方法，其中所述牺牲图案包括无定形碳层或者含碳的旋涂硬掩模。

4.如权利要求2中所述的方法，其中所述牺牲图案包括具有碳和氧的含碳材料，并且碳对氧的原子比大于1。

5.如权利要求2中所述的方法，其中所述掩模图案包括多晶硅。

6.如权利要求2中所述的方法，其中：

形成晶种层包括与在所述牺牲图案的暴露表面处的碳原子一起产生碳-硫键或碳-硅键，和

形成掩模图案包括与在所述晶种层的暴露表面处的硫原子一起产生硅-硫键。

7.如权利要求2中所述的方法，其中形成晶种层包括将硫化氢提供到所述牺牲图案上以在所述牺牲图案的表面处形成含硫部分。

8.制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成隔离层以限定活性图案；

在所述活性图案和所述隔离层上形成第一牺牲图案，所述第一牺牲图案包括含碳材料；

将硅-硫化合物或含硫气体提供到所述第一牺牲图案上以形成晶种层；

将硅前体提供到所述晶种层上以分别在所述第一牺牲图案的侧壁上形成含硅的第一掩模图案；

使用所述第一掩模图案将所述活性图案和所述隔离层部分地蚀刻以形成栅沟槽；和

分别在所述栅沟槽中形成栅结构。

9.如权利要求8中所述的方法，其进一步包括：

在所述隔离层和所述活性图案上形成导电层以覆盖所述栅结构；

在所述导电层上形成第二牺牲图案，所述第二牺牲图案包括含碳材料；

将硅-硫化合物或含硫气体提供到所述第二牺牲图案上以形成第二晶种层；

将硅前体提供到所述第二晶种层上以分别在所述第二牺牲图案的侧壁上形成第二掩模图案；和

使用所述第二掩模图案将所述导电层部分地蚀刻以形成导线结构。

10.如权利要求9中所述的方法，其进一步包括在邻近于所述栅结构的所述活性图案的上部部分处形成源-漏区域，其中所述导线结构电连接至所述源-漏区域。

11.形成硅层的方法，所述方法包括：

将硅-硫化合物或含硫气体提供到含碳材料层上以形成晶种层；和

将硅前体提供到所述晶种层上以形成所述硅层。