[发明专利]陶瓷体上硅衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201710940454.0 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107731731B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李瑾;冒薇;王丰梅;杨静;赵书平 | 申请（专利权）人： | 苏州研材微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 215121 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 体上硅 衬底 制备 方法 | ||
1.一种陶瓷体上硅衬底的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：
步骤1、提供所需的第一硅衬底（1）以及第二硅衬底（3），并对所述第一硅衬底（1）、第二硅衬底（3）进行清洗；
步骤2、在第一硅衬底（1）上均匀涂覆陶瓷埋材层（2），所述陶瓷埋材层（2）包括聚硅氮烷；
所述陶瓷埋材层（2）为聚硅氮烷时，陶瓷埋材层（2）涂覆在第一硅衬底（1）上的过程为：先将聚硅氮烷溶解，再将聚硅氮烷溶液滴于第一硅衬底（1）的中心，最后利用匀胶机将聚硅氮烷均匀涂覆在第一硅衬底（1）上；
在利用匀胶机涂覆时，匀胶机先以700rpm~900rpm的转速将第一硅衬底（1）上的聚硅氮烷液体摊开，再以4000rpm~5000rpm的转速将聚硅氮烷液体均匀涂覆在第一硅衬底（1）上；
步骤3、将第二硅衬底（3）键合在上述第一硅衬底（1）上，第二硅衬底（3）通过陶瓷埋材层（2）与第一硅衬底（1）间隔；
步骤4、对上述陶瓷埋材层（2）进行陶瓷化工艺，以得到位于第一硅衬底（1）与第二硅衬底（3）之间的陶瓷体绝缘埋层（4）；
陶瓷埋材层（2）采用聚硅氮烷时，步骤4中，对陶瓷埋材层（2）进行陶瓷化时，将第一硅衬底（1）、第二硅衬底（3）以及陶瓷埋材层（2）置于马弗炉中，将马弗炉的温度升高到800℃以上，以使得陶瓷埋材层（2）发生热裂解；在陶瓷埋材层（2）发生热裂解后，再使得马弗炉的温度升高到1400℃以上，以在第一硅衬底（1）与第二硅衬底（3）间结晶形成陶瓷体绝缘埋层（4）。
2.根据权利要求1所述的陶瓷体上硅衬底的制备方法，其特征是：在得到陶瓷体绝缘埋层（4）后，对第二硅衬底（3）进行减薄，对第二硅衬底（3）进行减薄的方式包括化学机械抛光。
3.根据权利要求1所述的陶瓷体上硅衬底的制备方法，其特征是，所述陶瓷埋材层（2）的厚度不大于3μm。
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