[发明专利]切割带一体型粘接片

说明书

提供在隐形切割时能够牢固地固定半导体晶圆、且在拾取时能容易地剥离半导体芯片的切割片一体型粘接薄膜。一种切割片一体型粘接薄膜，其特征在于，具备：具有基材和粘合剂层的切割片、以及设置于粘合剂层上的粘接剂层，粘合剂层包含下述丙烯酸类聚合物A和发泡剂，粘接剂层包含热塑性树脂，热塑性树脂的含量相对于粘接剂层的树脂成分整体在40重量％～95重量％的范围内。丙烯酸类聚合物A：由以50重量％以下的范围内含有CH₂＝CHCOOR¹(式中，R₁是碳数为6～10的烷基)所示的丙烯酸酯的单体组合物得到的丙烯酸类聚合物。

技术领域

本发明涉及切割带一体型粘接片。

背景技术

一直以来，半导体装置的制造中，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜在切割片上可剥离地设置有芯片接合薄膜。半导体装置的制造中，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上保持半导体晶圆，切割半导体晶圆，制成一个个的芯片。然后，将芯片与芯片接合薄膜一起从切割片剥离，借助芯片接合薄膜固定于引线框等被粘物。

使用在切割片上层叠有芯片接合薄膜而成的切割芯片接合薄膜，在芯片接合薄膜的保持下切割半导体晶圆时，需要将芯片接合薄膜与半导体晶圆同时切断。

但是，近年来，半导体封装体的小型化、薄型化推进，与此相伴，半导体晶圆的超薄化推进。因此，使用金刚石刀片的切割方法有时无法适当地切割晶圆。

于是，近年来，提出了如下的方法：通过对半导体晶圆的分割预定线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆变得能够容易地沿分割预定线进行分割，然后将该半导体晶圆粘贴于切割芯片接合薄膜，然后将切割芯片接合薄膜在低温下(例如，-15℃～5℃)扩展(以下也称为“冷扩展”)，从而使半导体晶圆和芯片接合薄膜断裂，得到一个个的半导体芯片(带芯片接合薄膜的半导体芯片)(例如，参照专利文献1)。这是被称为所谓隐形切割(Stealth Dicing；注册商标)的方法。

另外，近年来，提出了如下的方法：在半导体晶圆的表面用刀片形成槽(半切)，然后进行背面磨削，将背面磨削后的半导体晶圆粘贴于切割芯片接合薄膜，将切割芯片接合薄膜在低温下(例如，-15℃～5℃)扩展(以下也称为“冷扩展”)，从而使芯片接合薄膜断裂，得到一个个的半导体芯片(带芯片接合薄膜的半导体芯片)(例如，参照专利文献2)。这是被称为所谓“DBG”(先切割后磨削；Dicing Before Grinding)法的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-164556号公报

专利文献2：日本特开2003-007649号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，本发明人等注意到如下的问题：半导体晶圆为超薄型的情况下，进行隐形切割时，在切断半导体晶圆的同时单片化的半导体晶圆(半导体芯片)发生翘曲。另一方面，以半导体芯片不会翘曲的方式牢固地粘贴切割片时，这次存在有时无法适宜地拾取的问题。

另外，本发明人等注意到如下的问题：进行DBG的情况下，若未将半导体芯片牢固地粘贴于切割片，则在冷扩展时半导体芯片浮起。另一方面，牢固地粘贴于切割片时，这次存在有时无法适宜地拾取的问题。

本发明是鉴于前述问题而成的，其目的在于提供在隐形切割或DBG时能够牢固地固定半导体晶圆、且在拾取时能够容易地剥离半导体芯片的切割片一体型粘接薄膜。

用于解决问题的方案